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[圖文(wen)]2013年8月(yue)19日-我國(guo)碳(tan)化硅行業(ye)經過(guo)40多年的(de)發展取(qu)得(de)了長足的(de)進步,無論是冶(ye)煉技(ji)術、生(sheng)產(chan)裝備還是能耗指(zhi)標(biao)都(dou)已經達到水平;生(sheng)產(chan)能力、實(shi)際(ji)產(chan)量(liang)、國(guo)內(nei)消費(fei)量(liang)以及產(chan)品。

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碳化(hua)硅(gui)的(de)(de)分(fen)析方(fang)法楊繼光馬麗娟摘要:闡(chan)述了(le)碳化(hua)硅(gui)(SiC)的(de)(de)化(hua)學分(fen)析方(fang)法,比較和分(fen)析了(le)中國和日(ri)本在SiC分(fen)析方(fang)面的(de)(de)差別,加快中國SiC工業發(fa)展提出了(le)建議。

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本發明(ming)涉及一種碳(tan)化硅(gui)(gui)表(biao)面(mian)改性方法(fa)。將碳(tan)化硅(gui)(gui)粉末焙燒用雙氧(yang)水(shui)(shui)與濃硫酸混(hun)合(he)溶液浸泡(pao);取出用去(qu)離子水(shui)(shui)沖洗干(gan)凈并烘干(gan),再與偶聯(lian)劑反應1~4小時,把碳(tan)化硅(gui)(gui)再放入丙(bing)酮溶液。

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本(ben)發明(ming)提供一種碳化硅(gui)單晶的制造方法,在使碳化硅(gui)單晶在單晶基(ji)板(ban)(ban)上外延生長(chang)時,能夠減少(shao)在碳化硅(gui)單晶內產(chan)生的表面(mian)缺陷。該(gai)方法是在單晶基(ji)板(ban)(ban)(1)的表面(mian)使碳化硅(gui)單晶層外延。

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2010年(nian)9月(yue)19日-本標準(zhun)規定(ding)(ding)了碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)磨(mo)料中(zhong)的二(er)氧化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)、游離硅(gui)(gui)、游離碳(tan)、總碳(tan)、碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)、三氧化(hua)(hua)(hua)二(er)鐵的測定(ding)(ding)方法(fa)。本標準(zhun)適用(yong)于(yu)碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)磨(mo)料及碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)含量大于(yu)等于(yu)95%的結晶塊(kuai)。

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新聞資訊(xun):首(shou)頁;;新聞資訊(xun);;碳(tan)化(hua)硅的(de)產品分類與功能(neng)說明碳(tan)化(hua)硅的(de)產品分類與功能(neng)說明碳(tan)化(hua)硅有(you)黑碳(tan)化(hua)硅和綠碳(tan)化(hua)硅兩個常用的(de)基(ji)本品種(zhong),都(dou)屬α-SiC。①。

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《碳(tan)化硅產(chan)品出口質量安(an)全手冊》座談會在鄭(zheng)州舉行(xing)出自《磨料磨具通訊(xun)》2012年第12期。該刊暫(zan)未被(bei)《中文(wen)科(ke)技期刊數據庫》收錄,故無法提供全文(wen)下載(zai)。

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更新(xin)(xin)日期(qi):2014-10-11,英才(cai)圖書文化(hua)發展有限(xian)公司,專業生產(chan)碳化(hua)硅生產(chan)新(xin)(xin)工藝新(xin)(xin)技術(shu)實用手冊,15100727882,400-0829993(來自一呼(hu)百應企業商鋪b2b.youboy.)。

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類別(bie):礦(kuang)物--碳硅范(fan)圍:國內買(mai)/賣(mai):賣(mai)品名:碳化硅規格:SiC-70%minSiC-50%min數量(liang):常年工廠大量(liang)供應(ying)價格:產(chan)地:安陽包裝(zhuang):噸(dun)袋。

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碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅有(you)黑(hei)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅和綠碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅兩個(ge)常用的基該品種,都屬-SiC。黑(hei)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅含SiC約95%,其(qi)韌性高于綠碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅,大多(duo)用于加工抗(kang)張(zhang)強度低(di)的材料(liao),如玻璃、陶瓷、石(shi)材、耐火(huo)材料(liao)。

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2012年10月(yue)3日-碳化硅的(de)使用方法(fa)及注意事項有以(yi)下四(si)條:小編1、碳化硅產(chan)品包(bao)(bao)裝(zhuang)聚丙烯編織袋與聚乙烯薄膜(mo)雙層包(bao)(bao)裝(zhuang),分25公(gong)斤(jin)和50公(gong)斤(jin)兩種包(bao)(bao)裝(zhuang)。小編2、扒凈(或扒40%-。

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供應綠(lv)碳化(hua)硅(gui)微(wei)粉,供應:產(chan)(chan)品名(ming)稱:綠(lv)碳化(hua)硅(gui)微(wei)粉(1200#)報價:15000產(chan)(chan)品規(gui)格:原產(chan)(chan)地:河南洛陽應用行業:金屬加工,陶(tao)瓷(ci)加工,電子(zi)信息材料加工,磨料制造(zao)應用。

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2012年12月(yue)22日(ri)-碳化硅中硅的含(han)量決(jue)定碳化硅的硬度。下面我們來看(kan)一下碳化硅微粉的主(zhu)要分析檢(jian)測方法有(you)哪些檢(jian)測辦(ban)法:硅的含(han)量需要原子吸收檢(jian)測。碳化硅粒徑需要電阻法顆粒。

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《SN/T0256-1993出口(kou)碳化(hua)(hua)硅(gui)分析(xi)方法碳化(hua)(hua)硅(gui)含(han)量(liang)的(de)(de)測定(ding)》本標準規定(ding)了(le)用(yong)于冶金脫氧劑和(he)耐火材(cai)料的(de)(de)出口(kou)碳化(hua)(hua)硅(gui)中碳化(hua)(hua)硅(gui)含(han)量(liang)的(de)(de)分析(xi)方法。本標準適用(yong)于出口(kou)中、低品位(wei)。

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碳(tan)化(hua)硅電(dian)熱(re)元件(jian)(jian)概述碳(tan)化(hua)硅電(dian)熱(re)元件(jian)(jian)是選(xuan)用優質綠色碳(tan)化(hua)硅為主(zhu)要原(yuan)料,經加(jia)工制(zhi)坯、高溫硅化(hua)、再(zai)結晶而(er)成的(de)棒狀非(fei)金(jin)屬(shu)高溫電(dian)熱(re)元件(jian)(jian)。該元件(jian)(jian)與(yu)金(jin)屬(shu)電(dian)熱(re)元件(jian)(jian)相比,具(ju)有(you)使用。

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中(zhong)(zhong)國機床工(gong)(gong)具(ju)工(gong)(gong)業協會磨料磨具(ju)分會編(bian)纂的《碳化(hua)硅產(chan)品(pin)出(chu)口質量(liang)安全手(shou)冊》評(ping)審(shen)會于2012年12月10日在鄭州嵩山飯(fan)店舉(ju)行(xing),出(chu)席此次會議的有商務部對外貿易司安麗麗處長,中(zhong)(zhong)國。

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綠碳化硅是以石英(ying)砂(SIO2)和石油焦(jiao)(C)及氯化鈉(NAC1)為基本原(yuan)料在(zai)攝氏1800度(du)以上高溫條件下生(sheng)成的(de)非金(jin)屬礦產(chan)品,它(ta)具有(you)硬度(du)高、膨脹系數小、性脆、導熱性好等(deng)。

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2013年5月(yue)21日-2、碳(tan)化硅(gui)(gui)中硅(gui)(gui)的(de)含(han)量決定碳(tan)化硅(gui)(gui)的(de)硬度。碳(tan)化硅(gui)(gui)的(de)粒(li)徑大小(xiao)對線切(qie)割影響很大,但重要的(de)是碳(tan)化硅(gui)(gui)的(de)顆粒(li)形(xing)狀。3、檢測(ce)辦法(fa):硅(gui)(gui)的(de)含(han)量需(xu)要原子吸收檢測(ce)。

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本發明公開了一種碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)微粉(fen)除碳(tan)雜質的方法,該方法包括(kuo)以下步(bu)驟(zou):首(shou)先向(xiang)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)微粉(fen)中注(zhu)水造(zao)漿,加入分散劑后調(diao)節(jie)pH值,后采(cai)用離(li)心設備對碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)漿料離(li)心,接著(zhu)將漿料重新。

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碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)的(de)主要分析(xi)檢測方(fang)法:碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)中硅(gui)(gui)(gui)的(de)含量決定碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)的(de)硬(ying)度。碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)的(de)粒(li)徑大(da)(da)小對線切割(ge)影響很大(da)(da),但重(zhong)要的(de)是碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)的(de)顆(ke)(ke)粒(li)形狀。因為線切割(ge)時碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)為游(you)離(li)狀態(tai)切割(ge)顆(ke)(ke)粒(li)。

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碳化(hua)硅寬帶隙半導體(ti)技術作者:郝(hao)躍,彭軍,楊銀(yin)堂編(bian)著出版(ban)社(she):科學出版(ban)社(she)出版(ban)時間:2000.5叢編(bian)項:微電子學叢書(shu)本(ben)書(shu)介紹了碳化(hua)硅寬帶隙半導體(ti)的基本(ben)性質(zhi),晶體(ti)及薄膜(mo)生長。

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