碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期
陶瓷材料等離子發射(she)光譜法微量(liang)雜質元(yuan)素(su)測定微電子工業發動機雜質分(fen)析(xi)高溫技術聚變裝(zhuang)置微量(liang)元(yuan)素(su)。
碳化硅微粉中的雜質太多怎么處理_百度知道
如(ru)碲化(hua)鉛(PbTe)、砷化(hua)銦(InAs)、硫化(hua)鉛(PbS)、碳化(hua)硅(SiC)等。與(yu)金屬材(cai)料不同,半導體中雜質含量和外界條件的改變(如(ru)溫(wen)度變化(hua)、受光照射等),都(dou)會使半導體的。
碳化硅_百度百科
怎樣去除碳(tan)化(hua)(hua)硅制品(pin)中的(de)雜質(zhi)沒有任何一件事物是沒有雜質(zhi)的(de),即便是很多化(hua)(hua)學原(yuan)料或者經過多重步驟產生(sheng)的(de)高科技產品(pin),所以,目前市(shi)場上出現的(de)碳(tan)化(hua)(hua)硅產品(pin)也有很多雜質(zhi)。但是。
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怎樣去除碳化硅制品中的雜質-新聞動態-淄博中晶碳素有限公司
本發明(ming)涉及一種應用X射線熒(ying)光(guang)光(guang)譜(pu)法檢測碳化(hua)(hua)硅(gui)雜質含(han)量(liang)的方法,其步驟(zou)如下:1、制(zhi)備測試樣片(pian);2、制(zhi)備標(biao)準樣片(pian):①提純(chun)(chun)碳化(hua)(hua)硅(gui)的制(zhi)樣;②碳化(hua)(hua)硅(gui)提純(chun)(chun),制(zhi)備出(chu)純(chun)(chun)品碳化(hua)(hua)硅(gui);③。
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現在(zai)的(de)原料主要成分是硅和(he)碳化硅的(de)混合物,里(li)面(mian)含有少量鐵(tie)雜質(zhi),怎(zen)樣除去鐵(tie),請(qing)各位(wei)賜教,謝謝。
應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國
2012年12月(yue)28日-碳化(hua)硅晶體中的雜質是(shi):鐵、鋁、鈣、鎂、硅等(deng)的氧化(hua)物(wu)和碳化(hua)物(wu),以及它們的共熔物(wu)。這(zhe)些雜質在冶(ye)煉爐熱動力條(tiao)件下,溫度在2100——2200℃時被蒸發排。
如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量鐵雜質-非金屬-小木蟲-
[24]β-碳化硅(gui)(gui)因其相(xiang)較(jiao)α-碳化硅(gui)(gui)擁有更高的比表面積,所以可用(yong)于非均相(xiang)催化劑的負載體(ti)(ti)。純(chun)的碳化硅(gui)(gui)是無色(se)的,工業用(yong)碳化硅(gui)(gui)由于含有鐵等(deng)雜質而呈(cheng)現棕色(se)黑色(se)晶體(ti)(ti)。
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開(kai)始(shi)時間(jian):結(jie)束時間(jian):雜(za)質(zhi)碳(tan)加工工藝-催化(hua)劑,二氧化(hua)碳(tan),碳(tan)化(hua)硅(gui),X射線,生(sheng)產碳(tan)化(hua)硅(gui)版的出價/購(gou)買(mai)記錄(lu)Top一(yi)口價:元(yuan)該物品已下架立(li)即購(gou)買(mai)。
碳化硅-維基百科,自由的百科全書
導(dao)(dao)(dao)熱率(lv)(lv):碳(tan)化硅制品的導(dao)(dao)(dao)熱率(lv)(lv)非常非常高,熱膨(peng)脹參數小巧(qiao),抗熱震性(xing)非常非常高,是優質的耐火材料。3、電(dian)學(xue)屬性(xing)恒溫下工業(ye)碳(tan)化硅是一種半導(dao)(dao)(dao)體,屬雜質導(dao)(dao)(dao)電(dian)性(xing)。高純度。
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阿里(li)巴巴供應(ying)(ying)綠色(se)碳化(hua)硅(gui)雜質(zhi)(zhi)少硅(gui)含(han)(han)量98.5河南(nan)SIC碳化(hua)硅(gui)生產基地,研(yan)磨(mo)材料(liao),這(zhe)里(li)云集了眾多的供應(ying)(ying)商(shang),采購商(shang),制(zhi)造商(shang)。這(zhe)是(shi)供應(ying)(ying)綠色(se)碳化(hua)硅(gui)雜質(zhi)(zhi)少硅(gui)含(han)(han)量98.5河南(nan)。
碳化硅雜質對石墨加熱棒溫度場的影響數值模擬研究_百度文庫
馬可波(bo)羅網(makepolo.)提供溫(wen)縣華泰果殼研磨(mo)濾(lv)料(liao)廠相(xiang)關企業介紹及產品信息主要以綠(lv)色(se)碳(tan)化硅硬度高,雜(za)質(zhi)少(shao)硅含量98.5優質(zhi)碳(tan)化硅材料(liao)為主,還(huan)包括了綠(lv)色(se)碳(tan)化硅。
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碳化硅的特性和根本機能
碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)中雜質(zhi)的(de)形態(tai)-碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)中雜質(zhi)的(de)形態(tai)碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)的(de)研發(fa)成功(gong)并很(hen)好的(de)利用是市場發(fa)展過程中的(de)一大進步(bu)點,特別是對(dui)于1893年艾奇遜的(de)發(fa)明為引子(zi),由此推出的(de)國內由趙(zhao)廣和。
供應綠色碳化硅雜質少硅含量98.5河南SIC碳化硅生產基地
2011年6月14日-碳化硅在現代工業生(sheng)產中(zhong)的應用范圍比(bi)較(jiao)廣泛,比(bi)較(jiao)為(wei)人們所了解的是應用于磨料(liao)、磨具(ju)領域。但是隨著(zhu)科學技術的進步,人們對碳化硅的認識也逐(zhu)漸深入,由(you)此開發(fa)。
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碳(tan)化硅(gui)(SiC)是用石(shi)英砂、石(shi)油焦(或(huo)煤焦)、木屑(xie)為(wei)原料通過電阻(zu)爐高(gao)溫冶煉而成。碳(tan)化硅(gui)在大(da)自然也存在罕見的(de)礦(kuang)物,莫桑石(shi)。碳(tan)化硅(gui)又稱<a。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-碩士論文-道客巴巴
碳(tan)化(hua)硅(gui);物(wu)理性質(zhi)(zhi)性狀(zhuang):綠(lv)色(se)(se)藍黑色(se)(se)結(jie)晶性粉末.含雜(za)質(zhi)(zhi)的(de)碳(tan)化(hua)硅(gui)為綠(lv)色(se)(se),固(gu)性狀(zhuang):綠(lv)色(se)(se)藍黑色(se)(se)結(jie)晶性粉末.含雜(za)質(zhi)(zhi)的(de)碳(tan)化(hua)硅(gui)為綠(lv)色(se)(se),固(gu)溶有炭和金屬氧(yang)化(hua)物(wu)雜(za)質(zhi)(zhi)呈黑色(se)(se)。密(mi)。
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論文(wen)天下(xia)提供的(de)<二(er)次離(li)子(zi)質(zhi)(zhi)譜(pu)(pu)分析碳化(hua)硅中釩雜質(zhi)(zhi)含(han)量(liang)的(de)研究;論文(wen)包(bao)括碳化(hua)硅二(er)次離(li)子(zi)質(zhi)(zhi)譜(pu)(pu)釩摻雜定量(liang)分析二(er)次離(li)子(zi)質(zhi)(zhi)譜(pu)(pu)分析離(li)子(zi)注入樣品等其他相關(guan)內(nei)容論文(wen)。
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2013年(nian)4月24日-碳(tan)(tan)化硅(gui)俗稱金剛石(shi),又稱碳(tan)(tan)硅(gui)石(shi),主要用作耐磨材(cai)料,耐火(huo)材(cai)料,核(he)反應堆材(cai)料及制造電阻(zu)發熱硅(gui)碳(tan)(tan)棒(管),半導體(ti)元件,C二級管,晶(jing)體(ti)管,電器元件,火(huo)箭噴管等。
加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量——寧夏天凈集團碳化硅
產業領域:新能源光伏需求類型:技術(shu)服務需求編號:189-07制粉是碳化(hua)硅微粉生產中(zhong)的(de)重(zhong)要工序,但由于(yu)(yu)碳化(hua)硅的(de)硬度(du)較高,其莫氏硬度(du)為9.5級,在莫氏硬度(du)標準中(zhong)僅低于(yu)(yu)金剛石。
碳化硅-搜搜百科
本文采用(yong)ICP-MS法對高(gao)純(chun)碳化(hua)硅(gui)粉(fen)表(biao)(biao)面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12種痕量雜(za)質(zhi)進行(xing)測定,用(yong)氫氟酸溶(rong)液浸(jin)提試(shi)樣(yang)表(biao)(biao)面雜(za)質(zhi),用(yong)釔做(zuo)內標補償。
碳化硅|化合物-查字典
一(yi)種無TiC雜(za)質(zhi)(zhi)相的(de)碳(tan)化(hua)硅(gui)鈦陶瓷粉(fen)(fen)體的(de)合成(cheng)方(fang)法(fa),其特(te)征(zheng)在于:(1)以Ti粉(fen)(fen)、Si粉(fen)(fen)和TiC本發明(ming)公(gong)開了一(yi)種低成(cheng)本無TiC雜(za)質(zhi)(zhi)相的(de)碳(tan)化(hua)硅(gui)鈦陶瓷粉(fen)(fen)體的(de)常壓(ya)合成(cheng)方(fang)法(fa),。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-
臨沂市金蒙碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)有(you)限公司(si)是一家擁有(you)國內(nei)先進的碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)微(wei)粉(fen),黑碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui),綠碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui),綠碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)微(wei)粉(fen),黑碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)微(wei)粉(fen),碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)粒(li)度砂,生產線(xian)和工(gong)藝技術,服務熱線(xian):400-6291-618。
碳化硅成分及性質_行業新聞_濟源防腐耐磨材料有限公司
2008年5月9日-碳化硅(gui)電(dian)(dian)(dian)力電(dian)(dian)(dian)子(zi)器件研發進展(zhan)與存在(zai)問題,1引言借助于微電(dian)(dian)(dian)子(zi)技術的長足發展(zhan),以硅(gui)器件為(wei)基礎的電(dian)(dian)(dian)力電(dian)(dian)(dian)子(zi)技術因大功率場效應(ying)晶體(ti)管(功率MOS)和絕緣柵雙極晶體(ti)。
要除去碳化硅中的含鐵的雜質和氧化鋁膠體及游離碳,需要進行酸
1、游離硅(gui)。它一(yi)部分(fen)溶解于SiC晶(jing)(jing)體(ti)中,一(yi)部分(fen)與其雜質(如鐵、鋁(lv)、鈣等)形成合金(jin)而(er)粘(zhan)附于晶(jing)(jing)體(ti)上(shang)或嵌在(zai)晶(jing)(jing)體(ti)中。2、游離二氧化硅(gui)。通常存(cun)在(zai)于晶(jing)(jing)體(ti)表面。大都是由于。
請教一下有關碳化硅的一些問題_化學吧_百度貼吧
對(dui)SiC中基態(tai)施主能級(ji)分裂對(dui)雜(za)質(zhi)電離的影響,與(yu)溫度(du)、摻雜(za)濃(nong)度(du)和雜(za)質(zhi)能級(ji)深(shen)度(du)的關系進(jin)行(xing)了系統研究。發現只有在(zai)高溫且(qie)摻雜(za)濃(nong)度(du)低的情況下(xia),能級(ji)分裂的影響很小可忽略不計。
(189-07,新能源光伏,技術服務)碳化硅微粉中鐵雜質清除裝置及方法
氮化(hua)硅結合碳化(hua)硅材料反應燒結時的雜質(zhi)相行為分(fen)析(xi),郝小(xiao)勇;-陶(tao)瓷工程1998年第03期在線閱讀、文章下載。<正;l前(qian)言Si3N4結合SIC材料的研究近年來在國內發展較(jiao)快,該(gai)。
ICP-MS法測定高純碳化硅粉表面的痕量雜質Determinationoftrace
分(fen)(fen)析(xi)了Si3N4結(jie)合Si3C材料(liao)反(fan)應(ying)燒結(jie)時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質(zhi)相的(de)反(fan)應(ying)行為。氮(dan)化硅(gui)結(jie)合碳化硅(gui)材料(liao)反(fan)應(ying)燒結(jie)時的(de)雜質(zhi)相行為分(fen)(fen)析(xi)前(qian)言:分(fen)(fen)析(xi)了Si3N4結(jie)合Si3C材料(liao)。
碳化硅陶瓷工藝流程解析-新聞-九正建材網(中國建材網)
[圖文]目(mu)前,國內使用(yong)的切割(ge)液和碳(tan)化硅(gui)微粉在線切割(ge)過程(cheng)中(zhong),砂漿中(zhong)不可(ke)避免的會混入硅(gui)粉、鐵、高(gao)聚物等雜質,部分碳(tan)化硅(gui)微粉也會因(yin)切割(ge)作用(yong)而出(chu)現(xian)破損,產生的廢砂漿很(hen)難(nan)繼續。
一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法-200710118878-錢眼
氮化硅結(jie)(jie)(jie)合碳(tan)化硅材(cai)料反(fan)應燒結(jie)(jie)(jie)時的(de)雜質(zhi)(zhi)相(xiang)行為分析-分析了Si3N4結(jie)(jie)(jie)合Si3C材(cai)料反(fan)應燒結(jie)(jie)(jie)時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質(zhi)(zhi)相(xiang)的(de)反(fan)應行為。
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碳化硅質泡(pao)沫(mo)陶(tao)瓷(ci)(ci)過(guo)濾片,去孔(kong),濾渣(zha),吸(xi)附雜質泡(pao)沫(mo)陶(tao)瓷(ci)(ci)過(guo)濾片簡介(jie)泡(pao)沫(mo)陶(tao)瓷(ci)(ci)過(guo)濾器的過(guo)濾機(ji)理:整流作用:在澆鑄系統中(zhong)放置泡(pao)沫(mo)陶(tao)瓷(ci)(ci)過(guo)濾片后,金屬(shu)液流阻力(li)增大,。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
淄博鑄(zhu)泰(tai)碳(tan)(tan)(tan)素有(you)限公司碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui)簡介:碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui)英文名稱:siliconcarbide,俗稱金剛砂。純碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui)是無色透明的晶(jing)體。工業碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui)因所含雜質的種類和含量不(bu)同(tong),而呈淺黃、綠、藍。