碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期
陶(tao)瓷材(cai)料等(deng)離子(zi)(zi)發(fa)(fa)射光譜法微量(liang)雜質元(yuan)素測定微電子(zi)(zi)工業發(fa)(fa)動機雜質分析高溫(wen)技(ji)術聚變(bian)裝置(zhi)微量(liang)元(yuan)素。
碳化硅微粉中的雜質太多怎么處理_百度知道
如碲化(hua)鉛(qian)(PbTe)、砷(shen)化(hua)銦(InAs)、硫化(hua)鉛(qian)(PbS)、碳化(hua)硅(SiC)等。與金(jin)屬材料(liao)不同,半導體(ti)中雜質含量和外(wai)界條件的(de)改(gai)變(如溫度變化(hua)、受(shou)光照射(she)等),都會使半導體(ti)的(de)。
碳化硅_百度百科
怎樣去除碳(tan)化(hua)(hua)硅制品(pin)中的雜(za)質沒有任何一件事物是沒有雜(za)質的,即(ji)便(bian)是很(hen)(hen)多(duo)化(hua)(hua)學(xue)原(yuan)料或(huo)者經過多(duo)重(zhong)步(bu)驟產生的高科技產品(pin),所(suo)以(yi),目前市場上出現的碳(tan)化(hua)(hua)硅產品(pin)也有很(hen)(hen)多(duo)雜(za)質。但是。
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怎樣去除碳化硅制品中的雜質-新聞動態-淄博中晶碳素有限公司
本發明涉及一種(zhong)應用X射線熒光(guang)光(guang)譜(pu)法(fa)檢測碳(tan)(tan)(tan)化硅(gui)雜質含量的方法(fa),其(qi)步驟如(ru)下:1、制(zhi)備(bei)測試樣(yang)片(pian);2、制(zhi)備(bei)標準樣(yang)片(pian):①提純(chun)碳(tan)(tan)(tan)化硅(gui)的制(zhi)樣(yang);②碳(tan)(tan)(tan)化硅(gui)提純(chun),制(zhi)備(bei)出純(chun)品碳(tan)(tan)(tan)化硅(gui);③。
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現在的(de)(de)原料(liao)主要成分是(shi)硅和碳化硅的(de)(de)混合物,里面(mian)含有少量鐵(tie)雜(za)質,怎(zen)樣除去鐵(tie),請各(ge)位賜教,謝謝。
應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國
2012年12月28日-碳化(hua)硅晶體中的(de)雜(za)質是:鐵(tie)、鋁、鈣、鎂、硅等的(de)氧化(hua)物(wu)(wu)和碳化(hua)物(wu)(wu),以及它們的(de)共(gong)熔(rong)物(wu)(wu)。這些雜(za)質在(zai)冶煉爐熱動(dong)力條件下,溫度在(zai)2100——2200℃時被蒸發排。
如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量鐵雜質-非金屬-小木蟲-
[24]β-碳(tan)(tan)化硅(gui)因其相較(jiao)α-碳(tan)(tan)化硅(gui)擁有(you)更高的比表面積,所(suo)以可用于(yu)非均相催化劑的負載體(ti)。純的碳(tan)(tan)化硅(gui)是無色(se)的,工業用碳(tan)(tan)化硅(gui)由于(yu)含有(you)鐵等(deng)雜質而(er)呈(cheng)現棕色(se)黑色(se)晶體(ti)。
介紹有關碳化硅晶體中參雜的雜質|泰州市宏光金剛砂耐磨材料廠
開始時(shi)間(jian)(jian):結(jie)束時(shi)間(jian)(jian):雜質碳加工(gong)工(gong)藝(yi)-催化(hua)(hua)劑,二氧化(hua)(hua)碳,碳化(hua)(hua)硅(gui),X射線,生產碳化(hua)(hua)硅(gui)版的出價/購(gou)買記錄Top一口(kou)價:元該物(wu)品(pin)已下(xia)架立即購(gou)買。
碳化硅-維基百科,自由的百科全書
導(dao)熱(re)(re)率(lv):碳化硅制品的導(dao)熱(re)(re)率(lv)非常(chang)非常(chang)高(gao),熱(re)(re)膨脹(zhang)參數小巧,抗熱(re)(re)震性(xing)非常(chang)非常(chang)高(gao),是優質的耐火材料。3、電學屬性(xing)恒溫下工業碳化硅是一種(zhong)半導(dao)體,屬雜質導(dao)電性(xing)。高(gao)純度。
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阿里(li)巴巴供(gong)應綠色碳化硅(gui)雜質少硅(gui)含(han)量98.5河南SIC碳化硅(gui)生產基地,研(yan)磨材(cai)料,這(zhe)里(li)云(yun)集了眾多(duo)的供(gong)應商,采購商,制(zhi)造商。這(zhe)是(shi)供(gong)應綠色碳化硅(gui)雜質少硅(gui)含(han)量98.5河南。
碳化硅雜質對石墨加熱棒溫度場的影響數值模擬研究_百度文庫
馬可波(bo)羅網(makepolo.)提供(gong)溫縣華泰果殼研磨濾料廠相關企(qi)業介(jie)紹及產品信息主要以綠(lv)色(se)碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui)硬(ying)度高,雜(za)質(zhi)少(shao)硅(gui)(gui)(gui)含量98.5優質(zhi)碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui)材(cai)料為主,還(huan)包(bao)括了綠(lv)色(se)碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui)。
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碳化硅的特性和根本機能
碳(tan)(tan)化硅中雜(za)質(zhi)的(de)(de)形(xing)態-碳(tan)(tan)化硅中雜(za)質(zhi)的(de)(de)形(xing)態碳(tan)(tan)化硅的(de)(de)研發成功(gong)并很(hen)好的(de)(de)利用是市場發展(zhan)過(guo)程中的(de)(de)一大進步點,特(te)別(bie)是對于1893年艾奇遜的(de)(de)發明(ming)為引子,由(you)此推(tui)出(chu)的(de)(de)國內由(you)趙廣和。
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2011年6月14日-碳(tan)化硅(gui)在現(xian)代(dai)工業生產中的(de)(de)應(ying)用范圍比(bi)(bi)較(jiao)廣泛,比(bi)(bi)較(jiao)為(wei)人們所(suo)了解(jie)的(de)(de)是應(ying)用于磨料(liao)、磨具領(ling)域。但是隨(sui)著科學技術的(de)(de)進(jin)步(bu),人們對碳(tan)化硅(gui)的(de)(de)認識(shi)也逐漸(jian)深(shen)入,由(you)此(ci)開發。
綠色碳化硅硬度高,雜質少硅含量98.5優質碳化硅材料價格,
碳(tan)(tan)(tan)化硅(SiC)是(shi)用(yong)石(shi)(shi)英砂、石(shi)(shi)油焦(或煤焦)、木(mu)屑為原料通(tong)過電阻爐高溫(wen)冶(ye)煉而(er)成。碳(tan)(tan)(tan)化硅在大自然也存在罕見的礦(kuang)物(wu),莫桑(sang)石(shi)(shi)。碳(tan)(tan)(tan)化硅又稱<a。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-碩士論文-道客巴巴
碳化(hua)硅;物(wu)理性(xing)質(zhi)(zhi)性(xing)狀:綠色(se)(se)藍黑色(se)(se)結(jie)晶(jing)(jing)性(xing)粉末.含(han)雜(za)質(zhi)(zhi)的碳化(hua)硅為(wei)綠色(se)(se),固(gu)性(xing)狀:綠色(se)(se)藍黑色(se)(se)結(jie)晶(jing)(jing)性(xing)粉末.含(han)雜(za)質(zhi)(zhi)的碳化(hua)硅為(wei)綠色(se)(se),固(gu)溶(rong)有炭和金屬氧化(hua)物(wu)雜(za)質(zhi)(zhi)呈(cheng)黑色(se)(se)。密(mi)。
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論(lun)文天下提供(gong)的<二(er)次離子質譜分析碳化硅中(zhong)釩雜(za)質含(han)量的研究;論(lun)文包括碳化硅二(er)次離子質譜釩摻雜(za)定量分析二(er)次離子質譜分析離子注入樣品等其他相關(guan)內容(rong)論(lun)文。
jinshinaicai-和訊財經微博-碳化硅中雜質的形態-碳化硅中..
2013年(nian)4月24日-碳化硅(gui)(gui)俗稱(cheng)金剛石(shi)(shi),又稱(cheng)碳硅(gui)(gui)石(shi)(shi),主(zhu)要用作耐磨(mo)材(cai)料(liao),耐火材(cai)料(liao),核反應堆材(cai)料(liao)及制(zhi)造(zao)電阻發熱硅(gui)(gui)碳棒(管),半導(dao)體(ti)元(yuan)件,C二(er)級(ji)管,晶體(ti)管,電器元(yuan)件,火箭噴管等。
加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量——寧夏天凈集團碳化硅
產業領域:新能(neng)源(yuan)光伏需求類型(xing):技(ji)術服(fu)務需求編號:189-07制粉是碳化(hua)硅微粉生產中的(de)重(zhong)要工序,但由(you)于碳化(hua)硅的(de)硬(ying)(ying)(ying)度(du)較高,其莫(mo)氏硬(ying)(ying)(ying)度(du)為(wei)9.5級(ji),在莫(mo)氏硬(ying)(ying)(ying)度(du)標準中僅低(di)于金剛石。
碳化硅-搜搜百科
本(ben)文采用(yong)ICP-MS法對高(gao)純碳化硅(gui)粉表面的(de)Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12種痕量雜質(zhi)進行(xing)測定,用(yong)氫氟酸溶液浸提試(shi)樣表面雜質(zhi),用(yong)釔做(zuo)內標補(bu)償(chang)。
碳化硅|化合物-查字典
一種無TiC雜(za)質(zhi)相的(de)(de)碳化(hua)硅(gui)鈦(tai)陶瓷粉體的(de)(de)合成(cheng)方(fang)法,其特征在(zai)于:(1)以Ti粉、Si粉和TiC本(ben)(ben)發明公開了(le)一種低成(cheng)本(ben)(ben)無TiC雜(za)質(zhi)相的(de)(de)碳化(hua)硅(gui)鈦(tai)陶瓷粉體的(de)(de)常壓合成(cheng)方(fang)法,。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-
臨沂市(shi)金蒙碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui)有(you)限公司是一家(jia)擁(yong)有(you)國內(nei)先(xian)進的碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui)微粉,黑碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui),綠碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui),綠碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui)微粉,黑碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui)微粉,碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui)粒度砂,生(sheng)產線(xian)(xian)和工藝(yi)技術,服務熱(re)線(xian)(xian):400-6291-618。
碳化硅成分及性質_行業新聞_濟源防腐耐磨材料有限公司
2008年5月(yue)9日-碳化(hua)硅(gui)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)器件(jian)研發進(jin)展與存在問題,1引言借助(zhu)于微電(dian)子(zi)技(ji)術的長足發展,以(yi)硅(gui)器件(jian)為基礎的電(dian)力(li)電(dian)子(zi)技(ji)術因大功率場效應晶(jing)體管(功率MOS)和絕(jue)緣柵雙極(ji)晶(jing)體。
要除去碳化硅中的含鐵的雜質和氧化鋁膠體及游離碳,需要進行酸
1、游離(li)硅(gui)。它(ta)一部分溶解于SiC晶體(ti)中(zhong)(zhong),一部分與其(qi)雜質(如鐵、鋁(lv)、鈣(gai)等)形成合金(jin)而(er)粘附(fu)于晶體(ti)上或嵌在晶體(ti)中(zhong)(zhong)。2、游離(li)二氧化硅(gui)。通常存在于晶體(ti)表面。大(da)都(dou)是由于。
請教一下有關碳化硅的一些問題_化學吧_百度貼吧
對(dui)SiC中基態施主能(neng)級分(fen)裂(lie)對(dui)雜質(zhi)電(dian)離的(de)影響(xiang),與(yu)溫(wen)度(du)(du)、摻雜濃度(du)(du)和雜質(zhi)能(neng)級深度(du)(du)的(de)關系(xi)進(jin)行(xing)了(le)系(xi)統研(yan)究(jiu)。發現只有在高溫(wen)且摻雜濃度(du)(du)低(di)的(de)情況下,能(neng)級分(fen)裂(lie)的(de)影響(xiang)很小可(ke)忽略(lve)不計。
(189-07,新能源光伏,技術服務)碳化硅微粉中鐵雜質清除裝置及方法
氮(dan)化硅結合(he)碳(tan)化硅材料反應燒結時(shi)的雜質相行為分(fen)析,郝小(xiao)勇;-陶瓷工程1998年第03期(qi)在線閱讀、文章下(xia)載。<正;l前言Si3N4結合(he)SIC材料的研究近(jin)年來在國(guo)內發(fa)展較快,該。
ICP-MS法測定高純碳化硅粉表面的痕量雜質Determinationoftrace
分(fen)析(xi)了Si3N4結(jie)合(he)Si3C材料(liao)反(fan)應燒結(jie)時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質相(xiang)的(de)反(fan)應行(xing)為(wei)。氮化硅結(jie)合(he)碳化硅材料(liao)反(fan)應燒結(jie)時的(de)雜質相(xiang)行(xing)為(wei)分(fen)析(xi)前言:分(fen)析(xi)了Si3N4結(jie)合(he)Si3C材料(liao)。
碳化硅陶瓷工藝流程解析-新聞-九正建材網(中國建材網)
[圖文]目前,國內使用的切割(ge)液和(he)碳化硅(gui)微(wei)粉在線切割(ge)過程中,砂漿中不可(ke)避免(mian)的會混(hun)入硅(gui)粉、鐵、高聚(ju)物等雜質,部分碳化硅(gui)微(wei)粉也會因切割(ge)作用而出現(xian)破損(sun),產生的廢砂漿很難(nan)繼續(xu)。
一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法-200710118878-錢眼
氮化(hua)(hua)硅結合碳化(hua)(hua)硅材(cai)料(liao)反應燒結時的雜(za)質相(xiang)行(xing)為(wei)分(fen)析-分(fen)析了Si3N4結合Si3C材(cai)料(liao)反應燒結時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等(deng)雜(za)質相(xiang)的反應行(xing)為(wei)。
黑碳化硅,綠碳化硅,綠碳化硅微粉,黑碳化硅微粉,碳化硅粒度砂|臨沂
碳化(hua)硅質(zhi)泡沫陶瓷過(guo)(guo)濾(lv)片(pian),去孔,濾(lv)渣,吸(xi)附雜(za)質(zhi)泡沫陶瓷過(guo)(guo)濾(lv)片(pian)簡介泡沫陶瓷過(guo)(guo)濾(lv)器的過(guo)(guo)濾(lv)機(ji)理:整流作(zuo)用:在澆鑄系統中放置泡沫陶瓷過(guo)(guo)濾(lv)片(pian)后,金(jin)屬液(ye)流阻(zu)力增大,。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
淄博鑄泰碳(tan)素有限公司碳(tan)化(hua)硅(gui)簡介:碳(tan)化(hua)硅(gui)英文名稱:siliconcarbide,俗稱金剛砂。純碳(tan)化(hua)硅(gui)是無(wu)色(se)透明(ming)的(de)(de)晶體。工業碳(tan)化(hua)硅(gui)因所含(han)雜質(zhi)的(de)(de)種類和含(han)量不同,而呈淺(qian)黃、綠(lv)、藍(lan)。