MEMS射頻薄膜體聲波諧振器(FBAR)研究
在固態裝配(pei)型諧振(zhen)(zhen)器(SMR)方面,論文采用上述模(mo)型分析了四分之一波長(chang)布拉格反(fan)射柵(zha)(zha)對其諧振(zhen)(zhen)特性(xing)(xing)的影響,得到了SMR器件獲得理想性(xing)(xing)能所需的少反(fan)射柵(zha)(zha)對數;另外(wai),考(kao)慮到實際。
石英晶體諧振器行業技術文章_慧聰網
壓(ya)電(dian)層的典型厚度在幾(ji)個微(wei)米或壓(ya)力場(chang)看(kan)起來與(單晶的)石(shi)英(ying)模式(shi)的石(shi)英(ying)這種類型的BAW被稱為固(gu)態(tai)裝配(pei)諧振器(SMR)。魯(lu)棒性而言,,則可減少諧振器。
ZnO固態裝配型諧振器(SMR)的模擬分析-《中國聲學學會2007年青年
ZnO固態裝配型(xing)諧振(zhen)器(SMR)的模擬分析(xi)湯亮(liang)郝震宏喬東(dong)海汪(wang)承灝(hao)摘要:正1引言(yan)近年來,薄(bo)膜體聲波諧振(zhen)器(FBAR)由于其較小的體積以(yi)及(ji)可與IC電路進行(xing)單。
布喇格反射層對SMR性能影響的仿真分析_百度文庫
這樣形成的諧振器是(shi)固態裝(zhuang)配諧振器(SMR)。在(zai)一個實施例中,襯(chen)底12由硅(gui)(Si)制成,PZ層18由氮化鋁(AlN)制成。或者,也(ye)可(ke)以使用其他的壓電材料來制作PZ層18。在(zai)一。
CN1845453A-使用填充凹進區的聲諧振器的性能增強-Google
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波(bo)器(qi):體聲(sheng)波(bo)濾波(bo)器(qi)BAW第2頁/共(gong)6頁<上一頁下(xia)這種類型的BAW被稱為固態裝配諧振器(qi)(SMR)。魯棒性而(er)言(yan),SMR比(bi)膜結(jie)構的BAW要好。
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器BAW_中華文本庫
這種(zhong)類型的(de)(de)BAW被稱為固態裝配(pei)諧振器(SMR)。魯棒性(xing)而言,SMR比(bi)膜結(jie)構的(de)(de)BAW要(yao)好很多(duo)。在劃片和(he)裝配(pei)所需的(de)(de)各種(zhong)標準(zhun)工序中,沒有機械損壞的(de)(de)風險。壓電層(ceng)和(he)電極層(ceng)上。
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器(BAW)
和(he)電極做成(cheng)膜(mo)(mo)結(jie)構或一(yi)并沉積到一(yi)個薄的支撐膜(mo)(mo)上,形成(cheng)空氣(qi)一(yi)固(gu)體交界面;還有一(yi)種方式(shi)是采(cai)用“聲波鏡”形成(cheng)反射面來實現,這種結(jie)構被稱為“固(gu)態裝配諧(xie)振器(SMR)。
薄膜體聲波濾波器的材料設計及應用-豆丁網
鋯鈦酸鉛溶膠凝膠諧(xie)(xie)振器建立微型體聲波諧(xie)(xie)振器機械結構的(de)等效電路模型,運(yun)用PSPICE軟件研究4湯亮;郝震(zhen)宏;喬東(dong)海;汪承(cheng)灝;;ZnO固態裝配型諧(xie)(xie)振器(SMR)。
龍俞兆-技術總結-道客巴巴
[0003]壓電薄膜諧(xie)(xie)振器(qi)可以分類為FBAR(膜體聲諧(xie)(xie)振器(qi))型和SMR(固態裝配(pei)諧(xie)(xie)振器(qi))型。[0003]thepiezoelectricthinfilmresonatorcanbeclassifiedasFBAR。
PZT薄膜材料的生長與應用-《廈門大學》2009年碩士論文
上述聲波(bo)器件(jian)的(de)示例為諸如FBAR(膜(mo)體聲波(bo)諧(xie)振器)和SMR(SolidlyMoutedResonator:固態裝配(pei)諧(xie)振器)的(de)薄(bo)膜(mo)諧(xie)振器。Examplesoftheacousticwavedevicesuchas。
CN101083460B-Filterhavingmultiplepiezoelectricthin-
聲(sheng)諧(xie)振器(qi)(10;110;和(he)210)包(bao)括少部分地(di)補(bu)(bu)償(chang)(chang)通過電(dian)極壓電(dian)疊層(18)引入的溫度感應效應的鐵磁補(bu)(bu)償(chang)(chang)器(qi)(20;120;和(he)220)。該(gai)補(bu)(bu)償(chang)(chang)器(qi)具(ju)有正頻率溫度系數,而疊層具(ju)有負。
BAW_百度文庫
包含這些壓電薄(bo)膜(mo)諧(xie)振器(qi)(qi)的濾波器(qi)(qi)也受到關注。[0003]壓電薄(bo)膜(mo)諧(xie)振器(qi)(qi)的例子包括FBAR(薄(bo)膜(mo)腔聲諧(xie)振器(qi)(qi),FilmBulkAcousticResonator)型和(he)SMR(固態裝配諧(xie)振器(qi)(qi),Solidly。
CN101136620B-Acousticwavedevice,filterandduplexer
將上述壓電(dian)(dian)(dian)薄膜(mo)(mo)諧振器分為兩種類型,FBAR(薄膜(mo)(mo)腔聲諧振器)和SMR(固(gu)態裝配(pei)諧振器)。FBAR包括層疊(die)在(zai)諸(zhu)如(ru)硅(gui)或玻璃的基板上的上電(dian)(dian)(dian)極膜(mo)(mo)、壓電(dian)(dian)(dian)膜(mo)(mo)和下電(dian)(dian)(dian)極膜(mo)(mo)的層疊(die)結構(gou)。
布喇格反射層對SMR性能影響的仿真分析SimulationAnalysisof
包(bao)含這(zhe)些壓電(dian)薄(bo)膜諧振(zhen)(zhen)器(qi)的(de)濾波(bo)器(qi)也(ye)受到關(guan)注。壓電(dian)薄(bo)膜諧振(zhen)(zhen)器(qi)的(de)例子包(bao)括FBAR(薄(bo)膜腔聲諧振(zhen)(zhen)器(qi),FilmBulkAcousticResonator)型和SMR(固態裝配(pei)諧振(zhen)(zhen)器(qi),SolidlyMounted。
CN1340915A-聲波諧振器及在溫度變化時運行其以保持諧振的
另外值得一提的(de)是,德(de)國的(de)Infneon公(gong)司在2003年(nian)推出(chu)了具(ju)有(you)布拉格反射層結構的(de)固(gu)貼(tie)式(又稱固(gu)態(tai)裝(zhuang)配(pei)型)薄(bo)膜體聲波(bo)諧(xie)振器(SMR-FBAR)[9-10].而我國關于。
CN1862959B-壓電薄膜諧振器與濾波器-Google
0引(yin)言固態(tai)引(yin)信諧振器是電(dian)子(zi)安全系統的(de)重要組成部分之一,它(ta)能在后(hou)坐(zuo)加速度和旋轉離心(xin)力(li)的(de)作(zuo)用下向前運動,使限(xian)位保(bao)險處于鎖定狀(zhuang)(zhuang)態(tai),從(cong)而(er)使引(yin)信處于待發狀(zhuang)(zhuang)態(tai)。但是,。
CN1677852A-諧振器濾波器以及諧振器的制造-Google
毫米波(bo)平面振(zhen)(zhen)蕩器(qi)基(ji)片集(ji)成(cheng)波(bo)導相位(wei)噪聲(sheng)雙(shuang)端(duan)口(kou)壓(ya)控振(zhen)(zhen)蕩器(qi)注入鎖(suo)定(ding)諧(xie)波(bo)振(zhen)(zhen)蕩器(qi)毫米波(bo)平面振(zhen)(zhen)蕩器(qi)是毫米波(bo)平面集(ji)成(cheng)系統ZnO固態裝配型諧(xie)振(zhen)(zhen)器(qi)(SMR)的(de)模擬(ni)分析[。
CN1862959A-壓電薄膜諧振器與濾波器-Google
聲諧(xie)振(zhen)器(10;110;和210)包括少部分地補償(chang)通過電極壓(ya)電疊層(18)引入的溫度感應(ying)效應(ying)的鐵(tie)磁補償(chang)器(20;120;和220)。Theacousticresonator(10;110;and。
薄膜體聲波諧振器(FBAR)的結構制備工藝研究-會議論文-道客巴巴
關鍵詞:微(wei)波濾波器時域有限差(cha)分(fen)法階(jie)梯阻抗諧振器橢(tuo)圓函數濾波器多層6湯亮(liang);郝(hao)震宏;喬東海;汪承灝;;ZnO固(gu)態(tai)裝配型諧振器(SMR)的模擬分(fen)析[A];。
固貼式薄膜體聲波諧振器用材料體系研究進展-豆丁網
摘(zhai)要(yao)固態(tai)微型諧(xie)振器的(de)工作頻率高(gao)、功率容(rong)量大、損(sun)耗低(di)、體積(ji)小,是(shi)目前有望第三種(zhong)為本研究采(cai)用反(fan)射(she)層聲(sheng)學隔離固定結構(SolidlyMountedResonatorSMR),如圖l一(yi)。
MEMS固態引信諧振器的系統級設計與仿真-《科技廣場》2007年09期
在固態(tai)裝配(pei)型(xing)諧振器(SMR)方(fang)面,論文(wen)采用上述模(mo)型(xing)分(fen)析了(le)四(si)分(fen)之一(yi)波長布拉格(ge)反(fan)(fan)射柵對(dui)其諧振特性(xing)的影響,得到了(le)SMR器件獲得理(li)想性(xing)能所需的少反(fan)(fan)射柵對(dui)數;另(ling)外(wai),考慮(lv)到實際(ji)。
復合雙壓電層FBAR的建模與仿真楊成韜1,李健雄1,許紹俊2,銳1,-
這樣(yang)形成(cheng)的諧振器是固態裝配諧振器(SMR)。Thethusformedassemblyoftheresonatoriidresonator(SMR).在一個實施(shi)例中,襯底12由(you)硅(Si)制成(cheng),。
基于基片集成波導的高性能毫米波平面振蕩器研究與應用-《電子
大字報利用(yong)無線傳感器網絡實現運動聲源的定位與跟蹤(zong)錄取,報告用(yong)相對運動幾何求解BOT問題ZnO固態裝(zhuang)配型諧(xie)振器(SMR)的模擬分(fen)析PGC解調光纖(xian)傳聲器技(ji)術的討論一種單。
CN1229917C-Soundwaveresonator-Google
將上述壓電薄(bo)膜諧振器分為(wei)兩種類型,FBAR(薄(bo)膜腔(qiang)聲諧振器)和SMR(固(gu)態裝配諧振器)。FBAR包括層疊(die)在諸如(ru)硅(gui)或玻璃(li)的基板上的上電極膜、壓電膜和下電極膜的層疊(die)。
無線通信系統中的微波濾波器性能及小型化研究-《上海大學》2004
2007年10月31日-壓電薄膜(mo)諧(xie)振器(qi)可分成FBAR(薄膜(mo)塊(kuai)體聲波諧(xie)振器(qi))型和(he)SMR(固態裝配諧(xie)振器(qi),solidlymountedresonator)型。Thepiezoelectricthinfilmresonatormay。
基于MoTi布拉格反射層的固態微型諧振器與濾波器的研究-豆丁網
該傳感器(qi)是混合型(xing)諧(xie)振(zhen)無源諧(xie)振(zhen)結(jie)構(gou),其可以在(zai)制造過程中被集成于車輛地面連接裝(zhuang)置HBAR“高模薄膜體聲波諧(xie)振(zhen)器(qi)”),或者帶有布拉(la)格反(fan)射鏡(SMR“固態(tai)裝(zhuang)配型(xing)諧(xie)振(zhen)。
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器BAW_百度文庫
該(gai)傳感器是混合型諧(xie)振(zhen)無源諧(xie)振(zhen)結構,其(qi)可以在制造過程中被集成(cheng)于(yu)車輛地面連接裝置HBAR"高模薄(bo)膜體聲波諧(xie)振(zhen)器"),或者帶有布拉格反(fan)射鏡(jing)(SMR"固態裝配(pei)型諧(xie)振(zhen)器"。
院機構知識庫網格(CASIRGRID):MEMS射頻薄膜體聲波諧振器(
2010年6月16日-[0020]壓電薄膜諧振(zhen)器包括(kuo)FBAR型(xing)(xing)和SMR型(xing)(xing),其(qi)中FBAR是(shi)薄膜體聲(sheng)波諧振(zhen)器(Film-BulkAcousticResonator)的縮(suo)寫,以(yi)及SMR是(shi)固態(tai)安裝諧振(zhen)器(SolidlyMounted。
CN1845453A-Acousticresonatorperformanceenhancement
2005年10月5日-將上述壓電(dian)薄膜諧(xie)振(zhen)器分為兩種類型,FBAR(薄膜腔聲諧(xie)振(zhen)器)和SMR(固態裝配(pei)諧(xie)振(zhen)器)。Theabovepiezoelectricthinfilmresonatorisdividedinto。
薄膜諧振器技術概述_百度文庫
[0003]壓(ya)(ya)電(dian)薄膜(mo)諧振(zhen)器可分成FBAR(薄膜(mo)塊體聲(sheng)波諧振(zhen)器)型和(he)SMR(固態裝配諧振(zhen)器,solidlymountedresonator)型。FBAR具(ju)有(you)由上部(bu)電(dian)極、壓(ya)(ya)電(dian)膜(mo)和(he)下部(bu)電(dian)極構成的(de)。