氮化硅粉末的制造方法及設備-89106804-錢眼
一種用四氯化硅與液氨在有(you)機(ji)溶(rong)劑界面反(fan)應生成硅亞胺,然(ran)后將其加熱分(fen)解制得氮化硅粉末的方法(fa)及設備,其特(te)。
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氮化硅的生產工藝|氮化硅制備加工技術
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101136305納米級(ji)氮化(hua)硅(gui)復合(he)材(cai)料發熱體及(ji)制(zhi)作工藝[摘要(yao)]本發明是(shi)對氮化(hua)硅(gui)發熱$902158760低(di)壓燃(ran)燒(shao)合(he)成氮化(hua)硅(gui)或氮化(hua)硅(gui)鐵的方法(fa)及(ji)設(she)備[摘要(yao)]低(di)壓燃(ran)燒(shao)合(he)成。
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[圖文]李維(wei)菊(個人商戶)供應(ying)氮化硅及(ji)其制(zhi)品(pin)生產(chan)工(gong)藝(yi)技(ji)術資料大、氮化硅及(ji)其制(zhi)品(pin)生產(chan)工(gong)藝(yi)技(ji)術資料大。氮化硅及(ji)其制(zhi)品(pin)生產(chan)工(gong)藝(yi)技(ji)術資料大全1一(yi)種(zhong)形成(cheng)雙(shuang)應(ying)力(li)層氮化硅薄(bo)膜的(de)方法。
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22.氮化(hua)硅發熱體及其制造方(fang)法23.氮化(hua)硅發熱裝(zhuang)置24.氮化(hua)硅粉.其燒結體.基板.及由此的(de)電路板和熱電元件模塊25.氮化(hua)硅粉末的(de)制造方(fang)法26.氮化(hua)硅粉末的(de)制造方(fang)法及設(she)備。
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2第(di)三節(jie)(jie):3第(di)四節(jie)(jie):4第(di)四章:氮化(hua)硅晶須(xu)主(zhu)要生(sheng)產工(gong)藝詳述節(jie)(jie):氮化(hua)硅晶須(xu)生(sheng)產工(gong)藝流(liu)程圖節(jie)(jie):氮化(hua)硅晶須(xu)生(sheng)產原(yuan)材(cai)料及設備(bei)1.生(sheng)產。
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25氮(dan)(dan)化硅(gui)粉末的制造方法(fa)26氮(dan)(dan)化硅(gui)粉末的制造方法(fa)及設備27氮(dan)(dan)化硅(gui)粉體(ti)α相轉相裝置28氮(dan)(dan)化硅(gui)工程陶瓷(ci)燒(shao)結(jie)新工藝29氮(dan)(dan)化硅(gui)和碳化硅(gui)一維納米結(jie)構及其制備方法(fa)。
一種制造高純度超細氮化硅的方法及設備
一種制(zhi)造高純度(du)超(chao)細氮(dan)化硅(gui)的(de)方(fang)法及(ji)設(she)備,其特征是硅(gui)烷(wan)和氨氣(qi)的(de)氣(qi)相(xiang)化學反(fan)(fan)應是在立式(shi)雙溫區流態(tai)反(fan)(fan)應器(qi)3中進行,該反(fan)(fan)應器(qi)流態(tai)床(chuang)底部(bu)設(she)有不(bu)銹鋼(gang)制(zhi)造的(de)分配板(ban)31,載體。
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氮化硅的生產方法-《無機鹽工業》1987年03期
氮化硅的生(sheng)產方(fang)法劉佩珠摘要(yao):正(zheng)本(ben)介紹的Si_3N_4的生(sheng)產方(fang)法如下:采用固體二(er)硫化硅與(yu)氣態氨反(fan)應,溫度控制在800～1450℃,回收(shou)無(wu)定形Si_3N_4。。
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在亞微米(mi)的(de)(de)生(sheng)產(chan)制造技術中,氮(dan)化硅工藝(yi)的(de)(de)particle已(yi)經成為產(chan)品(pin)良率的(de)(de)主要(yao)影響(xiang)因(yin)素。本文主要(yao)針(zhen)對立式LPCVD氮(dan)。
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經營模式:生(sheng)產(chan)加工(gong)聯系(xi)人(ren):童(tong)國松電(dian)話:0571-86603302傳真:0571-8660330654、一種造粒(li)燃(ran)燒(shao)合成氮(dan)化硅(gui)的(de)生(sheng)產(chan)方法(fa)55、氮(dan)化硅(gui)粉末(mo)的(de)制造方法(fa)及(ji)設備56。
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2012年9月19日-2CN02100873.6一種制(zhi)造電池的(de)燒結(jie)鎘負極(ji)的(de)方法及其制(zhi)造產品3CN70CN86100384氮化硅工程陶瓷燒結(jie)新工藝71CN86106840熱窯燒結(jie)設(she)備與。
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[圖文(wen)]摘要(yao):摘要(yao):研(yan)究了等離子(zi)增強化學氣相淀積(PECVD)工藝中射頻(pin)條件(jian)(功率和(he)頻(pin)率)對氮化硅薄(bo)膜(mo)應力的(de)影響(xiang)。對于(yu)不同射頻(pin)條件(jian)下(xia)薄(bo)膜(mo)的(de)測試結果表明:低頻(pin)(LF)時氮化硅。
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氮(dan)化硅收集(ji)(ji)平臺,涉(she)及(ji)(ji)多晶硅生(sheng)產設(she)備領域(yu),尤其(qi)是(shi)涉(she)及(ji)(ji)多晶硅生(sheng)產中(zhong)氮(dan)化硅的收集(ji)(ji)臺,一(yi)種(zhong)移(yi)除氮(dan)化硅層的方法,此方法系(xi)首先提供一(yi)晶圓,其(qi)中(zhong)晶圓上已(yi)形成(cheng)有一(yi)氮(dan)化硅層。
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7-BG520氮(dan)化硅只讀存儲器的結構與制造方(fang)法(fa)8-BG520低壓燃燒合(he)成(cheng)(cheng)氮(dan)化硅或氮(dan)化硅鐵的方(fang)法(fa)及設備9-BG520利用原子(zi)層沉積法(fa)形成(cheng)(cheng)氮(dan)化硅間隙壁的方(fang)法(fa)10-BG520密封。
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[圖文]本文主(zhu)要針對立式LPCVD氮(dan)化硅爐管的氮(dan)化硅制造工藝中所(suo)遇到particle問題進行研究。通過大量的對比性實(shi)驗進行排查與分(fen)析,并利(li)用各種先進的實(shi)驗的設(she)備和器(qi)材(cai)找到產生。
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第四節主(zhu)要生(sheng)產(chan)設備(bei)情況介紹第四章2011-2013年中國碳化(hua)硅(gui)(gui)結合氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)磚(zhuan)市場(chang)圖(tu)(tu)(tu)表:碳化(hua)硅(gui)(gui)結合氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)磚(zhuan)理化(hua)性質一覽(lan)圖(tu)(tu)(tu)圖(tu)(tu)(tu)表:碳化(hua)硅(gui)(gui)結合氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)磚(zhuan)生(sheng)產(chan)工藝(yi)流(liu)程。
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河南科(ke)技大學畢業(ye)設計(ji)(論文)I噴涂工藝(yi)對(dui)氮化硅(gui)涂層品質(zhi)的影響摘要鑄(zhu)造因此容(rong)易在制(zhi)造工藝(yi)中(zhong)受(shou)石(shi)英、石(shi)墨、設備以及(ji)管道等的沾污。坩堝的使用一方面提高。
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通(tong)過幾年(nian)不斷技術(shu)創新,工(gong)藝(yi)優(you)化(hua),積累(lei)了(le)豐富的氮化(hua)合(he)金生產(chan)(chan)經驗。公司擁有三個生產(chan)(chan)車間,十(shi)幾臺國內先進的氮化(hua)物(wu)產(chan)(chan)品生產(chan)(chan)設(she)備,建(jian)立了(le)完發聯系信合(he)肥開(kai)爾納米。
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畢業設計(論文)-噴涂工藝對氮化硅涂層品質的影響-豆丁網
技術(shu)難(nan)題:1.生產氮化硅錳(meng)從技術(shu)上采用(yong)(yong)普通硅錳(meng)和普通硅鐵作(zuo)為原料,工藝上采用(yong)(yong)物料5.所(suo)用(yong)(yong)的(de)臥式推板窯等加熱(re)設備利用(yong)(yong)電感應加熱(re)方(fang)式,在微正壓下工作(zuo),省(sheng)去了真空。
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公司(si)簡(jian)介(jie)北京金海虹(hong)氮化硅有限(xian)公司(si)是高新技術企業,開發、生產(chan)(chan)高技術氮化硅結合先進(jin)的生產(chan)(chan)設備(bei),獨特的生產(chan)(chan)工藝,完善的檢測手段(duan),科學的管理體系,2005年5月(yue)獲得(de)。
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你可(ke)能要查找:陶瓷生產加工機械機械及行(xing)業設備詳細信息產品規格(ge):產品數(shu)量(liang)用這種現代先進工藝制成的特種陶瓷產品具有密度高且均勻,尺寸精度高等優(you)點。氮(dan)化硅。
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北京金海虹氮化硅有限公司公司介紹-007商務站-全球網上貿易平臺
高純氮化(hua)硅粉體(用于晶硅生產坩堝噴涂粉末)使用方法發布日期(qi):2011-11-01分離(li)設備物性測(ce)試儀器(qi)生命科學儀器(qi)實驗箱(xiang)體/安全箱(xiang)水(shui)質(zhi)、水(shui)分檢測(ce)。
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制作燒結鋁(lv)礬(fan)土粉的設備《礬(fan)土技術分析鋁(lv)礬(fan)土,均勻度,氮化硅,反應催化劑,剛玉(yu)陶瓷,》43-BG192114一種變截(jie)面隧道窯煅燒高(gao)鋁(lv)礬(fan)土的方法44-BG192114礬(fan)土面礦脫水(shui)。
北京金海虹氮化硅有限公司-企業介紹-全球五金網
,經(jing)過(guo)多年的(de)研(yan)制、創新,研(yan)發(fa)出全新的(de)陶(tao)瓷配方以(yi)及一體化(hua)高(gao)純(chun)氮化(hua)硅陶(tao)瓷生產工藝。高(gao)純(chun)氮化(hua)硅陶(tao)瓷熱(re)面(mian)發(fa)熱(re)體燃氣設備用熱(re)面(mian)發(fa)熱(re)體高(gao)純(chun)氮化(hua)硅陶(tao)瓷電熱(re)塞柴油。
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并提(ti)出(chu)了(le)對(dui)比分析的方(fang)法,在通過專業設備檢(jian)測的基礎上(shang)對(dui)成品球(qiu)球(qiu)度、表面(mian)(mian)粗糙度研究結果表明,氮化(hua)硅(gui)陶瓷(ci)球(qiu)能(neng)夠批量生產且球(qiu)度達到0.062μm以下,表面(mian)(mian)粗糙度達到。
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反應燒結(jie)工(gong)藝生(sheng)產的氮化硅使用(yong)壽命很短(duan),材料存在(zai)很多氣孔(kong),長期鋁液會(hui)滲入;抗熱震用(yong)于冶(ye)金(jin)、化工(gong)、紡織、印刷(shua)、包裝、食品機械、電(dian)爐(lu)設備、電(dian)力容器(qi)、變(bian)壓器(qi)等(deng)。
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種更(geng)可靠的(de)半導(dao)體裝(zhuang)置(zhi)和顯示裝(zhuang)置(zhi)的(de)高產量制造技術且未使用于制造的(de)設備和方法作為在有(you)機化(hua)合(he)物(wu)中所含(han)的(de)無(wu)機材(cai)料(liao),可以使用氧化(hua)硅(gui)、氮化(hua)硅(gui)、氧氮化(hua)硅(gui)、氮。
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經營模式:生產廠家主營產品:氮化(hua)金屬粉(fen)末特種合金焊條粉(fen)劑合金粉(fen)工商公司運(yun)用自(zi)己(ji)的科研成果,采用先進的設備和工藝技術進行各類高純硅精細化(hua)加。