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金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷

金屬氧化(hua)物(wu)碳化(hua)硅避(bi)雷器電(dian)力電(dian)纜電(dian)壓響(xiang)應過沖(chong)保護性能殘壓測試回路相近似電(dian)流脈沖(chong)。

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2005脈沖(chong)激光退火(huo)納米碳化硅(gui)的(de)光致(zhi)發光于(yu)威,何杰,孫運濤,韓理,在電流激發方面存在較(jiao)大困難(nan),因此對碳化硅(gui)發光材料的(de)制備及發光特(te)性進(jin)行分析對。

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河北大學(xue)碩士學(xue)位(wei)論文納(na)米碳化硅的(de)脈(mo)沖激(ji)光(guang)燒蝕沉積及其光(guang)學(xue)特性研究姓名:孫(sun)運濤(tao)(JFET,可達到電流水(shui)平(ping)400mA/mm,電導的(de)指標lOOmS/mm)以及用6H—SiC制作的(de)金(jin)屬(shu)。

納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道

2008年5月9日-1998年已有頻率(lv)(lv)1.3GHz,脈沖(chong)輸出功(gong)率(lv)(lv)400W的報道[;。2.2碳(tan)化硅(gui)功(gong)率(lv)(lv)雙極與碳(tan)化硅(gui)功(gong)率(lv)(lv)MOS相比,對3000V以上的阻(zu)斷電壓(ya),其通態電流密(mi)度可以高出幾個。

碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題

[圖(tu)文]2007年5月28日-從(cong)而(er)具有非(fei)常(chang)高(gao)的浪涌電流承受能(neng)力(li)和穩(wen)定的過壓中的PFC級應用在瞬時(shi)脈沖和過壓狀態下(xia)具有更高(gao)利用具有獨特(te)性能(neng)的碳化硅作(zuo)為器件材料,能(neng)制造出。

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高(gao)頻脈沖電鍍Ni-Co-SiC耐(nai)蝕性(xing)耐(nai)磨(mo)性(xing)陽極(ji)極(ji)化(hua)結構(gou)研究了(le)電源頻率(lv)、占空比(bi)、陰極(ji)電流密度及(ji)鍍液中(zhong)鈷1袁(yuan)逖;高(gao)頻脈沖電沉積鎳(nie)鈷碳化(hua)硅鍍層耐(nai)蝕性(xing)耐(nai)磨(mo)。

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正采(cai)用60m長的138kV電力電纜產生的幾十萬伏、2萬安(an)以上的電流、波頭時間約50ns的脈(mo)沖(chong)。被試品(pin)為9kV金屬氧(yang)化(hua)物及碳化(hua)硅避雷(lei)器(qi)(qi)。避雷(lei)器(qi)(qi)的電壓響應包括(kuo)陡的過沖(chong)電壓。

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2013年1月30日-美國陸軍研究人(ren)員正在向行業(ye)尋(xun)求開(kai)發進的(de)碳化硅(SiC)半(ban)導體功率(lv)電子技術種高等級配置的(de)高壓開(kai)關,脈沖(chong)電壓15000V,小電壓10000V,電流(liu)峰(feng)值30A,。

美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網

采用(yong)XeCl準分子脈沖激(ji)光(guang)退火技術(shu)制備了(le)納米晶態碳化(hua)硅薄膜(nc—SiC),并對薄膜的光(guang)致(zhi)發(fa)光(guang)(PL)特性進行了(le)分析。結果(guo)表明,納米SiC薄膜的光(guang)致(zhi)發(fa)光(guang)表現為300-600nm.范圍。

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[圖文]V為(wei)(wei)驅動(dong)脈沖(chong)電(dian)(dian)壓(ya),驅動(dong)電(dian)(dian)流為(wei)(wei)脈沖(chong)電(dian)(dian)流.V為(wei)(wei)驅動(dong)脈沖(chong)電(dian)(dian)壓(ya),驅動(dong)電(dian)(dian)流為(wei)(wei)脈沖(chong)電(dian)(dian)流.收藏此(ci)頁推薦給好友(you)09-23[技術資訊]碳(tan)化硅在高(gao)溫(wen)范圍內具(ju)有低開關(guan)損耗的MOSFE。

紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網

[圖(tu)文]這種(zhong)改進的(de)過(guo)壓和浪涌電(dian)流能力可(ke)以使(shi)二極管的(de)壓力減小,使(shi)應用具有(you)更高(gao)的(de)可(ke)靠性(xing)。SiC肖特(te)基(ji)二極管——適(shi)合各種(zhong)供電(dian)條件(jian)的(de)解決方案利(li)用具有(you)獨特(te)性(xing)能的(de)碳化硅作為器件(jian)。

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2010年(nian)8月17日-0405SC-2200M碳化硅晶體管,射(she)頻(pin)峰值(zhi)功(gong)率(lv)(lv)達2200瓦,可用于大(da)功(gong)率(lv)(lv)超高頻(pin)脈沖系統的(de)另(ling)一些優點包括簡化阻抗匹配,125伏的(de)操(cao)縱電壓(ya),低(di)電導電流,高峰值(zhi)。

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溫度脈沖方法(fa)制備碳/碳化硅(gui)復(fu)合材料界(jie)面的微(wei)觀結(jie)構與性能(neng)研(yan)(yan)究(jiu)袁(yuan)明,黃政仁,董紹明,朱(zhu)云洲,江東亮中國科(ke)學(xue)院上海(hai)硅(gui)酸鹽研(yan)(yan)究(jiu)所(suo),上海(hai)200050。

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河北大學(xue)碩士學(xue)位論文納米(mi)碳化硅的(de)脈沖激(ji)光(guang)(guang)燒蝕沉積及(ji)其光(guang)(guang)學(xue)特性研究姓名:孫運(yun)濤(tao)申(shen)請(qing)學(xue)位級別:碩士專業(ye):光(guang)(guang)學(xue)指導(dao)教(jiao)師(shi):于威(wei)20030101摘要本工作采用脈沖激(ji)光(guang)(guang)。

溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究

2013年1月30日-美國陸軍研究人員正(zheng)在(zai)向行業尋求開發進的(de)碳化硅(gui)(SiC)半(ban)導體功率電(dian)子技術種高等級(ji)配置的(de)高壓開關,脈沖(chong)電(dian)壓15000V,小電(dian)壓10000V,電(dian)流峰(feng)值(zhi)30A,。

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[圖文]從而具(ju)有非常(chang)高(gao)的(de)浪涌(yong)電(dian)流承受能力和穩(wen)定的(de)過壓特性。網中(zhong)的(de)PFC級應用(yong)在瞬時脈沖和過壓狀(zhuang)態下具(ju)有更高(gao)的(de)利用(yong)具(ju)有獨特性能的(de)碳(tan)化硅(gui)作為(wei)器件(jian)材(cai)料,能制造出接近。

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通過激光脈(mo)沖波形(xing)與光電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)脈(mo)沖波形(xing)的(de)比較,估算出2種光導開關的(de)載流(liu)(liu)(liu)子壽命和載流(liu)(liu)(liu)子的(de)基礎上改(gai)進設計(ji),研制出了工作電(dian)(dian)壓超過10kV、工作電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)超過90A的(de)碳化(hua)硅(gui)光導。

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[圖文]GaN器件包含五(wu)項(xiang)重(zhong)要特征:高介電(dian)強(qiang)度(du)、高工作(zuo)溫度(du)、大電(dian)流(liu)密度(du)、高開關速度(du),如何(he)在高效脈沖(chong)跳頻模式下選擇輸出濾波(1)智(zhi)能電(dian)視前進路上的三座。

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1200V增強型碳化硅縱向結(jie)型場效應晶體管功率模塊《電(dian)力電(dian)子》2011年第4期開關測試采(cai)用了標(biao)準的雙脈沖感性負載電(dian)路,在(zai)600V、100A、溫度分別為25℃和150。

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[圖文(wen)]2012年4月16日-既能滿足電(dian)子模塊的正(zheng)常工作電(dian)流(圖1中(zhong)的If),也能承受(shou)ISO7637-2脈(mo)沖[新品快訊(xun)]美高森(sen)美推出碳化硅(gui)(SiC)材料和技術的全新1200V肖特基二極管。

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[圖(tu)文]標簽(qian):600509石(shi)墨(mo)烯碳化硅背景(jing)資料(liao)老孟(meng)股票具(ju)有(you)電(dian)荷這種性質,電(dian)荷的(de)傳導(dao)能夠形(xing)成(cheng)電(dian)流并成(cheng)為電(dian)子采用脈沖電(dian)子輻照技術在SiC基底(di)上外延石(shi)墨(mo)烯是(shi)我們。

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二(er):電流互感器保護用(yong)(yong)于(yu)保護電流互感器即CTPU.典型應(ying)用(yong)(yong)于(yu)互感器二(er)次過壓保護,此類電阻(zu)片的(de)靈活性使(shi)其(qi)得(de)到廣(guang)范應(ying)用(yong)(yong),可用(yong)(yong)于(yu)熒(ying)光(guang)燈的(de)尖峰(feng)脈(mo)沖抑制(直(zhi)徑為26mm的(de)。

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(3)從損壞的(de)(de)避(bi)雷(lei)器(qi)閥(fa)片來看,這(zhe)些避(bi)雷(lei)器(qi)的(de)(de)閥(fa)片所(suo)用的(de)(de)碳化硅比較松散,多半是(shi)這(zhe)根電線有脈沖電流渡(du)過(guo),這(zhe)時,測定(ding)在配(pei)電線路的(de)(de)導體(ti)上感應(ying)的(de)(de)電壓波形。相應(ying)的(de)(de)。

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2013年8月21日(ri)-尤其(qi)是碳化(hua)硅微粉(fen)磨的生產加工中,粉(fen)塵外(wai)泄問(wen)題為(wei)嚴重,上海卓亞礦山機械有限公司研究者為(wei)其(qi)進行(xing)相應的分析與設備的改造實驗,終得(de)出使(shi)用(yong)脈沖除塵器的。

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[圖文]2011年8月4日-現在(zai)還有許多公司在(zai)用不同的基(ji)底(如藍寶石和碳(tan)化硅)生產(chan)GaNLED,這些LED該(gai)電路的基(ji)本功能是產(chan)生低頻(pin)、快速、大功率驅(qu)動電流脈沖信(xin)號,輸出(chu)脈沖的。

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2013年7月22日-1998年已有頻(pin)率1.3GHz,脈(mo)沖輸出(chu)功率400W的報道[;。2.2碳(tan)化硅功率雙極開發碳(tan)化硅BJT的主要問題(ti)是提高電流增益。早期6H-SiCBJT的電流增益只有10。

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脈沖袋式除(chu)塵器,分號機,粉(fen)(fen)(fen)碎(sui)機,氣(qi)流磨,青島精華PZ粉(fen)(fen)(fen)碎(sui)機的用途及適應范(fan)圍:化工等物科的粉(fen)(fen)(fen)碎(sui),尤其適用于碳化硅、剛(gang)玉、石(shi)英、烙煉(lian)石(shi)英、石(shi)餾石(shi)等物科的粉(fen)(fen)(fen)碎(sui)。

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碳化硅顆粒化學鍍鎳對鐵基復合(he)材料性能的(de)影響張(zhang)躍波1,宗亞平1,曹新(xin)建(jian)1,張(zhang)龍21.東(dong)北大(da)學材料各向異性與織構教育部實驗室沈陽1108192.金策工(gong)業綜合(he)。

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供應碳化硅整形機,氣流粉碎機,脈沖除塵器-其他-中國應用技術網

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