金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金屬氧化(hua)物碳(tan)化(hua)硅避雷器(qi)電(dian)力電(dian)纜(lan)電(dian)壓(ya)響應過沖保護性能(neng)殘壓(ya)測試(shi)回路(lu)相近(jin)似電(dian)流脈沖。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈沖激光(guang)(guang)退火納米碳化(hua)硅(gui)的光(guang)(guang)致發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)于威,何杰(jie),孫(sun)運濤,韓理,在(zai)電流激發(fa)(fa)(fa)方面存在(zai)較大困難,因此對(dui)碳化(hua)硅(gui)發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)材料的制(zhi)備(bei)及發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)特(te)性進行(xing)分(fen)析對(dui)。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河北大學(xue)碩士學(xue)位論文納米碳化(hua)硅的脈沖(chong)激光燒蝕沉積及其光學(xue)特性研(yan)究姓名:孫運濤(JFET,可(ke)達到(dao)電(dian)(dian)流水平400mA/mm,電(dian)(dian)導的指標lOOmS/mm)以及用(yong)6H—SiC制作(zuo)的金屬。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年5月9日-1998年已有頻率1.3GHz,脈(mo)沖輸出功(gong)(gong)率400W的(de)報道(dao)[;。2.2碳(tan)化硅功(gong)(gong)率雙極與(yu)碳(tan)化硅功(gong)(gong)率MOS相比,對3000V以(yi)上的(de)阻斷電(dian)壓,其通態電(dian)流密度可以(yi)高出幾(ji)個。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖文]2007年5月28日-從而具(ju)有非常高(gao)的(de)浪涌電流承受能(neng)力和穩定的(de)過壓(ya)中的(de)PFC級應用在瞬(shun)時(shi)脈沖(chong)和過壓(ya)狀態下具(ju)有更高(gao)利用具(ju)有獨(du)特(te)性能(neng)的(de)碳化硅作為(wei)器件材料,能(neng)制造出。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-應用-電子工程世界網
高(gao)頻(pin)脈沖電鍍(du)Ni-Co-SiC耐蝕(shi)性耐磨(mo)性陽極(ji)(ji)極(ji)(ji)化(hua)結構(gou)研究了(le)電源頻(pin)率(lv)、占空比、陰極(ji)(ji)電流密度(du)及鍍(du)液(ye)中(zhong)鈷1袁逖;高(gao)頻(pin)脈沖電沉積鎳鈷碳化(hua)硅鍍(du)層耐蝕(shi)性耐磨(mo)。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通
正(zheng)采用60m長的138kV電力電纜產生的幾十萬(wan)伏(fu)、2萬(wan)安以上的電流、波頭時間約(yue)50ns的脈沖。被試(shi)品為9kV金(jin)屬(shu)氧(yang)化物及(ji)碳化硅避(bi)雷(lei)器。避(bi)雷(lei)器的電壓響應包括陡(dou)的過沖電壓。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年1月30日-美國(guo)陸軍研(yan)究人員(yuan)正(zheng)在向行業尋求開(kai)發進(jin)的碳化硅(SiC)半導體功率電(dian)子技術(shu)種高等級配置的高壓(ya)開(kai)關,脈沖電(dian)壓(ya)15000V,小電(dian)壓(ya)10000V,電(dian)流(liu)峰值30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采用(yong)XeCl準分(fen)子脈沖(chong)激光(guang)退火技術制備了納(na)米晶態碳化硅薄膜(mo)(nc—SiC),并(bing)對(dui)薄膜(mo)的(de)光(guang)致發光(guang)(PL)特性(xing)進(jin)行了分(fen)析(xi)。結果表(biao)明,納(na)米SiC薄膜(mo)的(de)光(guang)致發光(guang)表(biao)現為300-600nm.范圍。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖文]V為(wei)驅(qu)動(dong)(dong)脈(mo)沖電壓,驅(qu)動(dong)(dong)電流(liu)(liu)為(wei)脈(mo)沖電流(liu)(liu).V為(wei)驅(qu)動(dong)(dong)脈(mo)沖電壓,驅(qu)動(dong)(dong)電流(liu)(liu)為(wei)脈(mo)沖電流(liu)(liu).收藏此頁推薦給好友09-23[技術資訊]碳化(hua)硅(gui)在高溫范圍內(nei)具有低開(kai)關損耗的MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖文]這種(zhong)改進(jin)的(de)過壓和浪涌電流能力(li)可(ke)以使二極(ji)管(guan)的(de)壓力(li)減小(xiao),使應用具有更高的(de)可(ke)靠性(xing)。SiC肖特(te)(te)基二極(ji)管(guan)——適(shi)合各種(zhong)供電條(tiao)件(jian)的(de)解決方案利用具有獨特(te)(te)性(xing)能的(de)碳化硅(gui)作為器件(jian)。
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論文(wen)天下提(ti)供的<高頻脈沖電沉積鎳(nie)鈷碳化(hua)硅鍍層耐(nai)(nai)蝕(shi)性耐(nai)(nai)磨(mo)性的研究;論文(wen)包括高頻脈沖電鍍Ni-Co-SiC耐(nai)(nai)蝕(shi)性耐(nai)(nai)磨(mo)性陽(yang)極極化(hua)結(jie)構等(deng)其(qi)他(ta)相關內(nei)容論文(wen)。
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諸暨市特(te)耐工(gong)程陶瓷(ci)有(you)限(xian)公司碳化(hua)硅(gui)脈沖類型(xing):脫硫(liu)除(chu)塵器林格(ge)曼(man)黑(hei)度:3級(ji)品牌:帕特(te)納型(xing)號:碳化(hua)硅(gui)噴(pen)嘴脫硫(liu)率(lv)(lv):97(%)除(chu)塵率(lv)(lv):96(%)阻力損失(shi):-(Pa),環球(qiu)貿易(yi)網為您(nin)提(ti)供。
脈沖激光退火納米碳化硅薄膜的拉曼散射研究RamanSpectraof
2010年8月17日(ri)-0405SC-2200M碳化(hua)硅晶體管,射(she)頻峰值功率達2200瓦,可用于大(da)功率超高(gao)頻脈(mo)沖系(xi)統的另一些優點包括簡(jian)化(hua)阻抗匹(pi)配,125伏的操縱電壓,低(di)電導(dao)電流,高(gao)峰值。
碳化硅脈沖
溫度脈沖方法制(zhi)備碳/碳化硅(gui)復合材料界面的微觀(guan)結(jie)構與性能(neng)研究袁明,黃政仁,董紹明,朱云洲,江東亮中國科(ke)學院上(shang)海硅(gui)酸鹽(yan)研究所,上(shang)海200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河北大學碩士學位論文納(na)米碳化硅的脈(mo)沖激光(guang)(guang)燒蝕沉積及其(qi)光(guang)(guang)學特性研(yan)究(jiu)姓名:孫運濤申請學位級別(bie):碩士專業:光(guang)(guang)學指導教(jiao)師:于(yu)威20030101摘(zhai)要本工(gong)作采用脈(mo)沖激光(guang)(guang)。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年1月30日-美國陸(lu)軍研究人員正在向行業尋求(qiu)開發進的碳化硅(SiC)半導體(ti)功(gong)率電子技(ji)術種(zhong)高等級配置的高壓(ya)開關,脈沖電壓(ya)15000V,小(xiao)電壓(ya)10000V,電流峰值30A,。
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[圖文]從而具(ju)有非常(chang)高(gao)的(de)(de)浪(lang)涌電(dian)流承受能力(li)和(he)穩(wen)定的(de)(de)過壓特(te)性(xing)。網中的(de)(de)PFC級應用在瞬時脈沖和(he)過壓狀態下具(ju)有更高(gao)的(de)(de)利用具(ju)有獨特(te)性(xing)能的(de)(de)碳化硅(gui)作為器件材料,能制造出(chu)接近。
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通過激光(guang)脈(mo)沖(chong)波(bo)(bo)形(xing)與光(guang)電流脈(mo)沖(chong)波(bo)(bo)形(xing)的比(bi)較,估算出(chu)2種光(guang)導開關的載流子壽命(ming)和(he)載流子的基礎上改(gai)進(jin)設計,研制出(chu)了工作電壓超過10kV、工作電流超過90A的碳化硅(gui)光(guang)導。
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2008年9月(yue)26日-這些測試包括使用(yong)1祍脈沖,開關時(shi)間比為(wei)1000,在(zai)“開”狀態(tai)驅動電流是100本文鏈接(jie):碳化硅電子:全球(qiu)協會提倡SiC高頻PI:/news。
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[圖文]GaN器件(jian)包含(han)五項重要特征(zheng):高介電(dian)強度、高工作溫度、大電(dian)流密度、高開關速(su)度,如(ru)何在高效脈沖跳頻模式下選擇輸(shu)出(chu)濾(lv)波(1)智能電(dian)視前進路上的三座。
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1200V增強型碳化(hua)硅縱向結型場效應晶體管功(gong)率模塊《電(dian)力電(dian)子》2011年第4期開關測試采用了標準的雙脈沖感性負載電(dian)路(lu),在600V、100A、溫度分別(bie)為25℃和150。
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[圖文]2012年4月16日-既(ji)能滿足電子模塊的(de)正(zheng)常工(gong)作(zuo)電流(圖1中的(de)If),也能承受ISO7637-2脈沖(chong)[新品快訊]美(mei)高(gao)森美(mei)推出碳化硅(SiC)材(cai)料和技術(shu)的(de)全新1200V肖(xiao)特基二極管。
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[圖文(wen)]標簽:600509石墨烯碳化硅(gui)背景資料老(lao)孟股票具有電(dian)(dian)荷這種(zhong)性質,電(dian)(dian)荷的(de)傳導(dao)能夠形成電(dian)(dian)流并成為電(dian)(dian)子采(cai)用脈沖電(dian)(dian)子輻照技術在(zai)SiC基(ji)底(di)上(shang)外延石墨烯是(shi)我(wo)們。
綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽
二(er):電(dian)(dian)流(liu)互感(gan)器(qi)(qi)保護用于保護電(dian)(dian)流(liu)互感(gan)器(qi)(qi)即(ji)CTPU.典型應用于互感(gan)器(qi)(qi)二(er)次(ci)過壓(ya)保護,此類電(dian)(dian)阻片(pian)的(de)靈活性使其(qi)得到廣范應用,可用于熒光燈的(de)尖峰(feng)脈(mo)沖抑制(直徑為26mm的(de)。
ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網
(3)從損壞(huai)的避(bi)雷(lei)器(qi)閥(fa)片來看,這(zhe)些避(bi)雷(lei)器(qi)的閥(fa)片所(suo)用的碳(tan)化硅比較松散(san),多半(ban)是這(zhe)根電(dian)線有脈沖電(dian)流渡(du)過,這(zhe)時,測定在配電(dian)線路的導體(ti)上感應的電(dian)壓波(bo)形(xing)。相應的。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年8月21日-尤其(qi)是碳化硅微粉磨的(de)生產加工中,粉塵外泄問題為嚴重,上海(hai)卓亞(ya)礦山機(ji)械有限公司研(yan)究者為其(qi)進行相應的(de)分(fen)析與設備的(de)改造(zao)實驗,終得(de)出(chu)使用脈沖除塵器的(de)。
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[圖文(wen)]2011年8月4日-現(xian)在還有許多公司在用不同的基(ji)底(如藍寶石(shi)和(he)碳化(hua)硅)生產GaNLED,這些LED該(gai)電(dian)路的基(ji)本功能是產生低頻、快速、大(da)功率驅動電(dian)流脈沖信號,輸出脈沖的。
什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答
2013年(nian)(nian)7月22日-1998年(nian)(nian)已(yi)有頻率1.3GHz,脈沖輸出功率400W的(de)報道[;。2.2碳(tan)化(hua)硅功率雙極開發(fa)碳(tan)化(hua)硅BJT的(de)主要問題是提高電流增益。早期6H-SiCBJT的(de)電流增益只有10。
碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好
脈(mo)沖袋(dai)式除塵器,分(fen)號機(ji),粉碎(sui)機(ji),氣流(liu)磨,青島精華PZ粉碎(sui)機(ji)的用途及適(shi)應范圍:化工等(deng)物(wu)科(ke)的粉碎(sui),尤(you)其適(shi)用于碳化硅、剛玉、石英、烙(luo)煉石英、石餾石等(deng)物(wu)科(ke)的粉碎(sui)。
詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳化硅(gui)顆粒化學鍍鎳對鐵基復合(he)材料(liao)性能(neng)的影響張躍波1,宗亞平1,曹新建(jian)1,張龍21.東北(bei)大(da)學材料(liao)各(ge)向(xiang)異性與織構(gou)教育部實驗室(shi)沈(shen)陽1108192.金策工業綜合(he)。