金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金(jin)屬氧(yang)化物碳化硅(gui)避(bi)雷器(qi)電(dian)力電(dian)纜(lan)電(dian)壓(ya)響應過沖(chong)保護性能殘壓(ya)測試回路相近(jin)似電(dian)流脈(mo)沖(chong)。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈(mo)沖(chong)激光(guang)退火納米碳化(hua)硅的光(guang)致(zhi)發光(guang)于威,何杰,孫運濤,韓理,在電流(liu)激發方面(mian)存(cun)在較大困(kun)難,因(yin)此對碳化(hua)硅發光(guang)材料的制備及發光(guang)特性(xing)進行分析(xi)對。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河北大學(xue)碩士學(xue)位論文納米碳化硅的脈沖激(ji)光燒蝕沉積及(ji)其(qi)光學(xue)特性研究姓名:孫運(yun)濤(JFET,可達到電(dian)流(liu)水平400mA/mm,電(dian)導的指(zhi)標(biao)lOOmS/mm)以及(ji)用(yong)6H—SiC制作的金屬。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年(nian)5月9日-1998年(nian)已有頻率1.3GHz,脈沖輸(shu)出功(gong)(gong)率400W的(de)報道[;。2.2碳(tan)化硅(gui)(gui)功(gong)(gong)率雙(shuang)極與碳(tan)化硅(gui)(gui)功(gong)(gong)率MOS相比,對(dui)3000V以(yi)上的(de)阻斷電(dian)壓,其通態電(dian)流密(mi)度可(ke)以(yi)高出幾個。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖文]2007年(nian)5月(yue)28日-從而(er)具有(you)非常高的(de)浪涌電流承受(shou)能(neng)力(li)和穩定的(de)過壓中的(de)PFC級(ji)應用(yong)(yong)在(zai)瞬時脈(mo)沖和過壓狀態(tai)下具有(you)更(geng)高利用(yong)(yong)具有(you)獨(du)特性(xing)能(neng)的(de)碳化(hua)硅(gui)作為器件材料(liao),能(neng)制造出。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-應用-電子工程世界網
高頻脈沖(chong)電(dian)(dian)鍍(du)(du)Ni-Co-SiC耐(nai)(nai)蝕(shi)性(xing)(xing)耐(nai)(nai)磨性(xing)(xing)陽極(ji)(ji)極(ji)(ji)化結(jie)構研(yan)究(jiu)了電(dian)(dian)源頻率、占空比、陰極(ji)(ji)電(dian)(dian)流密度及鍍(du)(du)液中鈷1袁(yuan)逖;高頻脈沖(chong)電(dian)(dian)沉積(ji)鎳鈷碳(tan)化硅鍍(du)(du)層耐(nai)(nai)蝕(shi)性(xing)(xing)耐(nai)(nai)磨。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通
正采用60m長(chang)的(de)138kV電(dian)(dian)力電(dian)(dian)纜產(chan)生的(de)幾(ji)十萬伏、2萬安以(yi)上的(de)電(dian)(dian)流、波(bo)頭(tou)時間約50ns的(de)脈沖(chong)。被(bei)試品為9kV金屬(shu)氧化(hua)物及碳化(hua)硅避(bi)雷(lei)器。避(bi)雷(lei)器的(de)電(dian)(dian)壓響(xiang)應(ying)包括(kuo)陡的(de)過沖(chong)電(dian)(dian)壓。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年1月30日-美國陸軍研究人員正在向(xiang)行(xing)業尋求開(kai)發進的碳化(hua)硅(SiC)半導體功率電(dian)子技術種高等級配置的高壓(ya)(ya)開(kai)關,脈沖電(dian)壓(ya)(ya)15000V,小電(dian)壓(ya)(ya)10000V,電(dian)流峰值30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采用(yong)XeCl準分子脈沖激光退火技術制備(bei)了(le)納米(mi)晶(jing)態碳化硅薄膜(nc—SiC),并對薄膜的(de)光致發光(PL)特性進行(xing)了(le)分析。結果(guo)表明,納米(mi)SiC薄膜的(de)光致發光表現為300-600nm.范(fan)圍。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖文(wen)]V為(wei)(wei)(wei)驅動(dong)脈沖(chong)(chong)電(dian)(dian)壓,驅動(dong)電(dian)(dian)流為(wei)(wei)(wei)脈沖(chong)(chong)電(dian)(dian)流.V為(wei)(wei)(wei)驅動(dong)脈沖(chong)(chong)電(dian)(dian)壓,驅動(dong)電(dian)(dian)流為(wei)(wei)(wei)脈沖(chong)(chong)電(dian)(dian)流.收藏此頁推薦給好友09-23[技術資(zi)訊(xun)]碳(tan)化硅在高溫范(fan)圍(wei)內具(ju)有低開關(guan)損(sun)耗的(de)MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖文]這種改進的(de)(de)(de)過壓和浪(lang)涌(yong)電流能力(li)可以(yi)使二極管的(de)(de)(de)壓力(li)減(jian)小,使應(ying)用具有更(geng)高的(de)(de)(de)可靠性。SiC肖特(te)(te)基二極管——適(shi)合(he)各種供電條件的(de)(de)(de)解(jie)決方案(an)利用具有獨特(te)(te)性能的(de)(de)(de)碳化硅作為器件。
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論文(wen)天下提供的(de)<高頻脈沖電沉積鎳鈷碳(tan)化硅鍍(du)層(ceng)耐(nai)蝕性耐(nai)磨性的(de)研究;論文(wen)包括高頻脈沖電鍍(du)Ni-Co-SiC耐(nai)蝕性耐(nai)磨性陽極(ji)極(ji)化結(jie)構等其他相關(guan)內(nei)容論文(wen)。
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諸暨市特耐(nai)工程(cheng)陶(tao)瓷有(you)限公司碳(tan)化硅脈(mo)沖類(lei)型(xing):脫硫(liu)除(chu)塵(chen)器林格曼黑度:3級(ji)品牌:帕特納型(xing)號(hao):碳(tan)化硅噴嘴脫硫(liu)率:97(%)除(chu)塵(chen)率:96(%)阻力損失:-(Pa),環球貿易網(wang)為您提供。
脈沖激光退火納米碳化硅薄膜的拉曼散射研究RamanSpectraof
2010年8月(yue)17日(ri)-0405SC-2200M碳化(hua)硅晶體管,射頻峰值功率達2200瓦,可(ke)用于大功率超高(gao)頻脈沖(chong)系統的另一些優點包括簡化(hua)阻(zu)抗匹(pi)配,125伏的操縱電(dian)壓,低電(dian)導電(dian)流,高(gao)峰值。
碳化硅脈沖
溫度脈沖方法制備碳/碳化(hua)硅復合材料界面的微觀結(jie)構(gou)與性能研究(jiu)袁明(ming),黃政仁,董紹(shao)明(ming),朱云洲,江東亮中國科學院(yuan)上海硅酸(suan)鹽研究(jiu)所,上海200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河北大學碩士學位(wei)論文納米碳化硅的(de)脈沖(chong)(chong)激光(guang)燒蝕沉積及其光(guang)學特性研究姓名:孫運濤申請學位(wei)級別:碩士專業:光(guang)學指導(dao)教(jiao)師:于威20030101摘(zhai)要(yao)本工作采(cai)用脈沖(chong)(chong)激光(guang)。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年1月30日-美國陸軍研究人(ren)員正在向(xiang)行(xing)業尋求(qiu)開發進(jin)的碳化硅(SiC)半導體功率電子技(ji)術種高等級配置的高壓開關,脈(mo)沖電壓15000V,小電壓10000V,電流峰值30A,。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究.pdf-畢業論文-
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[圖(tu)文]從而具有(you)非(fei)常(chang)高的浪涌電流(liu)承受能力(li)和穩定的過壓(ya)特性。網中的PFC級應用(yong)在(zai)瞬(shun)時脈沖和過壓(ya)狀態下具有(you)更高的利用(yong)具有(you)獨(du)特性能的碳(tan)化硅作為(wei)器(qi)件(jian)材料,能制(zhi)造出接近(jin)。
FGD脈沖懸浮泵碳化硅噴嘴脫硫除塵設備-中國供應商
通過(guo)激光(guang)(guang)脈沖波(bo)形與(yu)光(guang)(guang)電流(liu)脈沖波(bo)形的(de)比較,估(gu)算出(chu)2種(zhong)光(guang)(guang)導(dao)開關的(de)載流(liu)子壽命(ming)和載流(liu)子的(de)基(ji)礎上改進設計,研制(zhi)出(chu)了工作(zuo)電壓超過(guo)10kV、工作(zuo)電流(liu)超過(guo)90A的(de)碳化硅(gui)光(guang)(guang)導(dao)。
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影響碳化硅光導開關小導通電阻的因素-論文摘要-中國光學期刊網
2008年9月26日(ri)-這些測試(shi)包括(kuo)使用1祍脈(mo)沖,開關時間(jian)比為1000,在“開”狀態(tai)驅動電流是(shi)100本文(wen)鏈接:碳化硅電子(zi):全球(qiu)協會提倡SiC高頻PI:/news。
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[圖文]GaN器件(jian)包(bao)含五(wu)項重要特(te)征(zheng):高介電(dian)強度、高工作溫度、大電(dian)流(liu)密度、高開關速度,如何在高效脈(mo)沖跳(tiao)頻模式下選擇輸出濾波(1)智能電(dian)視前進路上(shang)的三座(zuo)。
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1200V增強型(xing)碳化(hua)硅縱(zong)向結型(xing)場效應晶體(ti)管(guan)功率模塊《電力(li)電子》2011年第4期開關(guan)測試采(cai)用了標準(zhun)的雙脈沖感性負載電路(lu),在600V、100A、溫度分別為25℃和(he)150。
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[圖(tu)文]2012年4月16日(ri)-既能滿足電(dian)子(zi)模塊(kuai)的(de)正常工作電(dian)流(圖(tu)1中(zhong)的(de)If),也(ye)能承受ISO7637-2脈(mo)沖(chong)[新(xin)(xin)品快訊]美高(gao)森(sen)美推出碳(tan)化(hua)硅(SiC)材料(liao)和技術的(de)全新(xin)(xin)1200V肖特基二極管(guan)。
碳化硅超細磨|碳化硅專用磨|碳化硅微粉磨|脈沖除塵器-金屬硅磨粉_
[圖文]標(biao)簽:600509石墨烯碳化硅背(bei)景資料老(lao)孟股票具有電(dian)荷這種(zhong)性質,電(dian)荷的傳導能夠形(xing)成電(dian)流并(bing)成為電(dian)子采用脈沖電(dian)子輻(fu)照(zhao)技(ji)術在SiC基(ji)底上(shang)外延石墨烯是我們(men)。
綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽
二:電流(liu)(liu)互(hu)感(gan)器保護用(yong)于(yu)保護電流(liu)(liu)互(hu)感(gan)器即CTPU.典型(xing)應用(yong)于(yu)互(hu)感(gan)器二次過(guo)壓保護,此類電阻片的靈活性使其得到廣(guang)范應用(yong),可用(yong)于(yu)熒光(guang)燈的尖(jian)峰脈(mo)沖抑制(zhi)(直徑為26mm的。
ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網
(3)從損壞(huai)的(de)(de)避(bi)雷(lei)器(qi)閥(fa)片來看(kan),這些避(bi)雷(lei)器(qi)的(de)(de)閥(fa)片所用(yong)的(de)(de)碳化硅比較松(song)散,多半是這根電(dian)(dian)(dian)線有脈沖電(dian)(dian)(dian)流渡過,這時,測(ce)定(ding)在配電(dian)(dian)(dian)線路的(de)(de)導體上感(gan)應的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)壓波形。相應的(de)(de)。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年(nian)8月21日-尤其(qi)是碳化硅微粉磨的生產加工中,粉塵外泄問題(ti)為嚴重(zhong),上海卓亞礦山機(ji)械(xie)有限(xian)公司研究者(zhe)為其(qi)進行相應(ying)的分析與設備的改造實驗,終得出使(shi)用脈(mo)沖除塵器的。
M&I碳化硅非線性放電電阻_電子元器件_電阻器_壓敏電阻器_產品庫_
[圖文]2011年(nian)8月4日-現在還有許多公(gong)司在用不同的基底(如藍寶(bao)石和碳化硅)生產GaNLED,這(zhe)些LED該電路的基本功(gong)能是產生低(di)頻(pin)、快速(su)、大功(gong)率驅動電流(liu)脈沖(chong)(chong)信號,輸(shu)出(chu)脈沖(chong)(chong)的。
什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答
2013年(nian)7月22日-1998年(nian)已有頻率(lv)1.3GHz,脈沖輸出功率(lv)400W的報道(dao)[;。2.2碳化(hua)硅(gui)功率(lv)雙(shuang)極開發碳化(hua)硅(gui)BJT的主要問題是提高電(dian)流增益。早(zao)期6H-SiCBJT的電(dian)流增益只有10。
碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好
脈(mo)沖袋式除塵器,分號機(ji)(ji),粉(fen)碎(sui)機(ji)(ji),氣流磨,青島精華PZ粉(fen)碎(sui)機(ji)(ji)的用途及(ji)適應范圍:化工等物科的粉(fen)碎(sui),尤其適用于碳化硅、剛玉、石(shi)英、烙(luo)煉石(shi)英、石(shi)餾石(shi)等物科的粉(fen)碎(sui)。
詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳(tan)化(hua)硅顆粒化(hua)學鍍(du)鎳對(dui)鐵基復合材料性能的影響(xiang)張躍波1,宗亞平(ping)1,曹新建1,張龍21.東北(bei)大學材料各向異性與織構教育(yu)部實驗室沈(shen)陽(yang)1108192.金策工業綜(zong)合。