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SiC粉末化學鍍Cu工藝研究(3)_劍心_新浪博客

Cu復合粉體金相顯微圖(tu),亮白色的為碳化硅顆(ke)粒,顆(ke)粒周圍的暗(an)灰(hui)色層為包覆(fu)的銅層,從(cong)圖(tu)3.8和圖(tu)3.9可(ke)以(yi)看出:140目粉末鍍覆(fu)質(zhi)量相對(dui)較高,墨綠色的SiC顆(ke)粒上。

pH值對碳化硅粉體表面鍍鎳的影響-《表面技術》2013年02期

摘要:對碳化(hua)硅表面進行化(hua)學鍍(du)(du)鎳,研究了鍍(du)(du)液的pH值對鍍(du)(du)速、鍍(du)(du)層組織及形貌(mao)9丁(ding)莉莉;化(hua)學鍍(du)(du)法(fa)制(zhi)備Cu-Si復合粉體(ti)工藝研究[D];中(zhong)國海洋(yang)大學;2009年10。

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2008年10月22日-納米碳化硅(gui)粉體2009-10-2210:47性能(neng)特點本產品(pin)純度高、粒徑小、分布均勻,比表面積大、高表面活性,松(song)裝密度低,具(ju)有(you)極好的力(li)學(xue)(xue)、熱學(xue)(xue)、電學(xue)(xue)和。

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納米耐磨導(dao)熱(re)碳(tan)化(hua)硅粉體(ti)詳細(xi)說明納米碳(tan)化(hua)硅:本產(chan)品純度高,粒(li)徑小,分(fen)布均(jun)勻,比(bi)表面(mian)積大,高表面(mian)活性,松裝密(mi)度低,具有極(ji)好的力學,熱(re)學,電學和(he)化(hua)學性能,即具有高。

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報告(gao)導讀:本報告(gao)從國際超(chao)(chao)細碳化硅粉體(ti)發展、國內(nei)超(chao)(chao)細碳化硅粉體(ti)政策環境及發展、研發動態、進出口情況、生產企業、存在的問題及對策等多方面多角度闡述了超(chao)(chao)細碳化硅。

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碳化硅粉(fen)體表面(mian)改性對分散性能(neng)的影(ying)響研究蘇小紅1,周(zhou)波2,武七德2,吉曉莉(li)22.5鍶覆體系對SiC微粉(fen)分散穩定性能(neng)影(ying)響機(ji)瑗掇據DLVO理論,siC粉(fen)體可以(yi)通過靜(jing)電(dian)。

2011-2016年中國超細碳化硅粉體行業當前現狀及未來趨勢發展預測報告

五金、工(gong)具(ju)磨料供應碳(tan)化硅(gui)微(wei)粉(fen)國標[詳細內容(rong)]1.工(gong)程陶(tao)瓷(ci)用(yong)(yong)微(wei)粉(fen):1)噴(pen)嘴等(deng)(deng)高溫(wen)窯具(ju)微(wei)粉(fen)反應燒結粉(fen):F240,F1200,W10,W14,W282)方梁(liang)等(deng)(deng)重結晶用(yong)(yong)粉(fen):RR100。

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納(na)米(mi)碳化(hua)硅(gui),超細碳化(hua)硅(gui)粉(fen)通(tong)過(guo)特殊(shu)工藝(yi)方法(fa)制備,具(ju)有純度(du)高,粒徑分布范(fan)圍小(xiao),高比表面積;納(na)米(mi)碳化(hua)硅(gui)具(ju)有化(hua)學(xue)性能穩定,導熱(re)系數(shu)高(165W/M.K),熱(re)膨脹系數(shu)小(xiao),硬度(du)高,。

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[摘要]本(ben)發明涉(she)及一(yi)(yi)種(zhong)以酵母粉為造孔(kong)劑的(de)(de)碳(tan)化硅基體之基底(di)的(de)(de)機械產品,其外表面(mian)還具有一(yi)(yi)氧化鋁覆層。從而獲得高(gao)體積分(fen)數的(de)(de)SiCp/Cu復合材料。本(ben)發明能夠。

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10.亢景付,張振利,韓春(chun)翠.等(deng)強(qiang)(qiang)條件下橡膠粉對(dui)碾壓(ya)(ya)混凝土強(qiang)(qiang)度與(yu)變形性能的34.劉桂香(xiang),黃向東(dong),鄭振環(huan),李強(qiang)(qiang).熱壓(ya)(ya)燒結一步法制備Cf/Cu復(fu)合材料的組織(zhi)。

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玉慶,作明,劉敏,周本濂,師昌緒.碳纖維涂覆碳化硅的研究[j].復合

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1、包覆鋇(bei)鐵氧體薄膜的碳(tan)化硅電(dian)磁吸波材料(liao)及(ji)其制(zhi)備8、Cu包裹SiC復合粉體工(gong)藝的研究9、Cu顆粒包覆79、粉體的表面修(xiu)飾與(yu)表面包覆方法的研究80、覆。

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摘要:對碳化(hua)硅表面進(jin)行化(hua)學鍍(du)(du)鎳(nie),研究(jiu)了鍍(du)(du)液的(de)pH值(zhi)對鍍(du)(du)速、鍍(du)(du)層(ceng)組(zu)織及形貌的(de)影響(xiang)。結果表明:鍍(du)(du)液pH值(zhi)低于8.5時,無反應發生,粉。

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為改善SiC與金(jin)屬的結合性,分別(bie)采用化(hua)學鍍法(fa)和非均相沉(chen)淀法(fa)制備Cu包裹SiC顆粒復合粉體。通過(guo)XRD衍(yan)射分析(xi)得(de)(de)出(chu)以上兩種包裹方法(fa)都可(ke)以得(de)(de)到大部(bu)分包裹著Cu相的SiC顆粒,。

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控制的(de)一(yi)些主要(yao)方法,綜述了(le)目前幾種主要(yao)金(jin)屬粉(fen)末(Au,Ag,Pd,Pt,Cu,Fe,Co,Ni納(na)米(mi)碳化硅粉(fen)末納(na)米(mi)金(jin)屬顆粒納(na)米(mi)金(jin)剛石粉(fen)納(na)米(mi)細粉(fen)納(na)米(mi)鐵粉(fen)納(na)米(mi)銅(tong)粉(fen)納(na)米(mi)級。

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分析時間從24小時減到30min,但(dan)對Ca、Cr、Cu、Mg、Mn、Ti、V要克服方法的1姚永生(sheng);;電感耦(ou)合等離子(zi)體原子(zi)發射光譜法測(ce)定碳化(hua)硅中(zhong)雜質元素[J];冶金分析。

納米金屬粉末-學術百科-知網空間

3用天然高嶺土制備碳(tan)化硅晶(jing)須/氧化鋁復合(he)陶瓷粉的(de)g161200580024384.X覆銅、抑(yi)制晶(jing)須生成(cheng)的(de)方(fang)法(fa)、212200780014522.5晶(jing)須得到(dao)抑(yi)制的(de)Cu-Zn合(he)金(jin)耐熱。

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746-BG28813一(yi)種(zhong)氮(dan)化硅(gui)/碳化硅(gui)多孔陶瓷的(de)制備方法747-BG28813激光熔(rong)覆(fu)制備801-BG28813納米ZrO2(Y2O3)/Cu復(fu)合功能陶瓷材料的(de)制備方法802-BG28813一(yi)種(zhong)。

碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期

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