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一種多晶硅氫化爐用石墨底座說明書下載-中國應用技術網

本實用(yong)新(xin)型公(gong)開了一種(zhong)多(duo)晶硅氫化爐用(yong)石墨底座,它是用(yong)來將發熱(re)體(ti)與外部供電(dian)設(she)備連接起來的引(yin)電(dian)體(ti)。該石墨底座包括與發熱(re)體(ti)接觸的上邊(bian)緣與下邊(bian)緣,將上邊(bian)緣設(she)為圓(yuan)角,。

石墨硅生產工藝-多晶硅,碳化硅,石墨坩堝,用于多晶硅,單晶硅版

[技(ji)術摘要]用稻(dao)谷殼制取石墨碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)涂層及碳硅(gui)(gui)化(hua)(hua)合物,是將稻(dao)殼焦化(hua)(hua)處理,球磨,40-BG64854一種多(duo)晶硅(gui)(gui)氫化(hua)(hua)爐(lu)用石墨底(di)座41-BG64854一種確保電(dian)極和硅(gui)(gui)芯載體。

炭素_CNKI學問

本(ben)實用新型涉及一種(zhong)還(huan)原爐石(shi)墨電極,它屬于多晶硅生產它由石(shi)墨底座、石(shi)墨夾(jia)蓋、石(shi)墨夾(jia)瓣、硅芯(xin)構(gou)成,石(shi)墨圓柱形炭(tan)素石(shi)墨經(jing)過掏芯(xin)機處理(li)將會形成一個石(shi)墨坩堝(guo)。

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還原爐石墨電極說明書下載-中國應用技術網

本實(shi)用新型涉及一種(zhong)還原爐石(shi)(shi)墨(mo)(mo)(mo)電極(ji),它屬于多晶硅(gui)生產領域(yu)。它由石(shi)(shi)墨(mo)(mo)(mo)底座(zuo)(zuo)、石(shi)(shi)墨(mo)(mo)(mo)夾蓋、石(shi)(shi)墨(mo)(mo)(mo)夾瓣、硅(gui)芯構成,石(shi)(shi)墨(mo)(mo)(mo)底座(zuo)(zuo)的頂部(bu)帶螺紋(wen),石(shi)(shi)墨(mo)(mo)(mo)夾蓋的內(nei)部(bu)帶有(you)螺紋(wen),石(shi)(shi)墨(mo)(mo)(mo)底座(zuo)(zuo)和。

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多晶硅氫加工工藝-多晶硅氫還原,氫還原,氫氣,三氯氫硅,氯化氫

223-BG33770一種多(duo)晶硅(gui)(gui)氫化爐用石(shi)墨(mo)底座624-BG33770一種轉化四氯化硅(gui)(gui)54-BG33770一種三(san)氯氫硅(gui)(gui)還(huan)原生產(chan)多(duo)晶硅(gui)(gui)循環氫氣提純處理方(fang)法(fa)55-BG33770一種。

炭素-《炭素技術》2012年第06期-吾喜網

等(deng)發明名稱:還原(yuan)爐石(shi)(shi)墨(mo)(mo)電極本實用新型涉及一(yi)種還原(yuan)爐石(shi)(shi)墨(mo)(mo)電極,它屬于多晶硅(gui)生產它由石(shi)(shi)墨(mo)(mo)底座(zuo)、石(shi)(shi)墨(mo)(mo)夾(jia)蓋、石(shi)(shi)墨(mo)(mo)夾(jia)瓣(ban)、硅(gui)芯構(gou)成,石(shi)(shi)墨(mo)(mo)底座(zuo)的頂(ding)部帶(dai)螺(luo)紋,石(shi)(shi)墨(mo)(mo)夾(jia)蓋。

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供(gong)(gong)應(ying)石墨(mo)塞棒(bang)石墨(mo)底座石墨(mo)漏(lou)斗的,清晰圖(tu)片,產品資料,工程圖(tu)。供(gong)(gong)應(ying):石墨(mo)塞棒(bang)石墨(mo)底座石墨(mo)漏(lou)斗查看(kan)詳(xiang)細*半(ban)導(dao)體行業,單晶爐,多晶硅爐的加熱系統。

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*不同規格(ge)的石墨圓材(cai),方(fang)材(cai),石墨鉑,石墨氈,石墨粉,復合碳氈等。本(ben)公(gong)司工業產品(pin)爐(lu),多(duo)晶(jing)硅、單晶(jing)硅爐(lu),真空爐(lu),熱處理爐(lu)發熱產品(pin)。規格(ge)尺寸:。

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石墨加熱器,石墨發熱元件,發熱石墨器件-多晶硅石墨熱場-光伏

一(yi)種(zhong)具(ju)有定(ding)向凝固組織多(duo)晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)錠的制(zhi)備(bei)方法(fa),它(ta)涉(she)及一(yi)種(zhong)多(duo)晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)錠生(sheng)產方法(fa),以解(jie)決現有多(duo)晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)錠的制(zhi)備(bei)主要(yao)是在(zai)陶瓷或石墨(mo)套筒(tong)中進行(xing),套筒(tong)內壁對多(duo)晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)產生(sheng)污染,導致多(duo)晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)錠。

石墨坩堝底座相關產品-007商務站-全球網上貿易平臺-第1頁

寧波市鄞州華(hua)鑫(xin)密封件制(zhi)造廠(chang)位于浙江(jiang)省(sheng)寧波市,在長(chang)江(jiang)三角洲占重要的地(di)理(li)位置(zhi),交通非(fei)常方便,占地(di)面積(ji)5000平方米,是(shi)一家專(zhuan)業生產(chan)石墨制(zhi)品(pin)的產(chan)品(pin),主要產(chan)品(pin)有(you):<br;1。

一種具有定向凝固組織多晶硅錠的制備方法說明書下載-中國應用

多晶(jing)硅(gui)石墨碳(tan)含(han)量預處理(li)玻(bo)璃(li)(li)碳(tan)為使多晶(jing)硅(gui)中碳(tan)含(han)量降(jiang)低水平,石墨件應(ying)經表(biao)面涂(tu)覆處理(li),如進行玻(bo)璃(li)(li)碳(tan)表(biao)面處理(li),以減(jian)少石墨件直接(jie)與(yu)氫氣接(jie)觸并(bing)(bing)發生(sheng)反應(ying),并(bing)(bing)。

生產銷售供應;石墨制品;石墨異形加工;石墨粉;石墨底座;石墨

多晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)棒的切割工(gong)裝46用于多晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)副產(chan)物(wu)四氯化(hua)硅(gui)(gui)(gui)處理(li)的反(fan)應器47一種多晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)氫化(hua)爐用石(shi)墨底座48多晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)還原鑄錠聯合生(sheng)產(chan)裝置49一種閉路循環生(sheng)產(chan)多晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)的工(gong)藝50多晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)。

石墨材料在多晶硅生產中的應用——降低碳含量,提高多晶硅品質

炭素,公(gong)開號:CN101486458公(gong)開日:2010-07-22申請人:四川(chuan)永(yong)祥(xiang)多晶硅(gui)有限公(gong)司(si)發明(ming)人:楊(yang)永(yong)富(fu)發明(ming)名稱(cheng):多晶硅(gui)還(huan)原爐石墨電極的(de)潔凈(jing)處理水(shui)淬法(fa)本發明(ming)公(gong)開了多晶硅(gui)還(huan)原爐。

多晶硅配料計算多晶硅原材料計算-圖書價格:280-綜合其他圖書/

錠取出的熔化材料的坩(gan)堝(guo)防粘涂層的制備與應(ying)用(yong),更具體地(di)涉及用(yong)于多晶硅的結晶的處理的坩(gan)堝(guo)蓋、坩(gan)堝(guo)筒和圓(yuan)凸(tu)(tu)臺(tai)的坩(gan)堝(guo)底,圓(yuan)凸(tu)(tu)臺(tai)的坩(gan)堝(guo)底具有上凸(tu)(tu)臺(tai)和下底座,。

炭素-石墨電極炭素潔凈處理多晶硅水淬法發明名稱

15-WX110852石(shi)(shi)墨(mo)坩堝16-WX110852石(shi)(shi)墨(mo)底座017-WX110852石(shi)(shi)墨(mo)烯基器件20-WX110852多晶硅薄膜(mo)的(de)制備方法(fa):21-WX110852石(shi)(shi)墨(mo)電(dian)極(ji)的(de)潔凈處理水淬法(fa)。

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多晶(jing)(jing)硅尾氣(qi)回(hui)(hui)收與處理論文??8,尾,尾8該(gai)方法的(de)主要工藝流程是:將反(fan)應器中(zhong)石墨管(guan)的(de)溫度升高到1500多晶(jing)(jing)硅尾氣(qi)回(hui)(hui)收與處理論文??8,尾,尾8文檔分類(lei)待分類(lei)。

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由于(yu)硅在(zai)常溫(wen)時電阻率很高,不易(yi)導通(tong),業(ye)內(nei)多晶硅生(sheng)產廠家常采(cai)用①石墨加(jia)熱(re)(re)、②等離子(zi)加(jia)熱(re)(re)、③鹵素燈加(jia)熱(re)(re)等外加(jia)熱(re)(re)方(fang)式,將還原爐爐溫(wen)加(jia)熱(re)(re)300℃左右,還原電源輸出(chu)。

自主研發物理提純法,多晶硅純度達99.9999%以上-處理器/DSP-電子

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