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新型CMP用二氧化硅研磨料-《半導體技術》2005年08期

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樹(shu)脂的(de)熱膨脹系數平均(jun)約為65×10-6m/cm/℃;,比對封裝(zhuang)樹(shu)脂中的(de)金(jin)屬埋(mai)人(ren)件(jian)的(de)熱膨脹系數大很多。半(ban)導體所(suo)用的(de)框架(LEADFRAME)與環氧樹(shu)脂相差甚遠。若(ruo)以(yi)純樹(shu)脂來。

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摘要:主(zhu)要介(jie)紹了氣(qi)相(xiang)法二氧化硅(gui)及表面改(gai)性(xing)(xing)的氣(qi)相(xiang)法二氧化硅(gui)的表面結(jie)構(gou)、改(gai)性(xing)(xing)劑的種類(lei)及改(gai)性(xing)(xing)方法,介(jie)紹了改(gai)性(xing)(xing)氣(qi)相(xiang)法二氧化硅(gui)的應(ying)用前(qian)景。關鍵詞:二氧化硅(gui);改(gai)性(xing)(xing);有。

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二氧(yang)化(hua)(hua)硅(gui)又稱硅(gui)石(shi)(shi),化(hua)(hua)學式SiO2。自然界中(zhong)存在有(you)結晶(jing)(jing)二氧(yang)化(hua)(hua)硅(gui)和無(wu)定形二氧(yang)化(hua)(hua)硅(gui)兩種(zhong)(zhong)。結晶(jing)(jing)二氧(yang)化(hua)(hua)硅(gui)因晶(jing)(jing)體(ti)結構不同(tong),分(fen)為石(shi)(shi)英(ying)、鱗石(shi)(shi)英(ying)和方石(shi)(shi)英(ying)三種(zhong)(zhong)。純石(shi)(shi)英(ying)為無(wu)色(se)晶(jing)(jing)體(ti),。

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電子工業用二氧化硅粉料的生產方法-《安徽科技》1996年第07期-吾

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通(tong)過(guo)動態流(liu)變(bian)學(xue)、動態力(li)學(xue)和熱(re)行為方法,研究了(le)納米(mi)粒子(zi)/聚(ju)合物復合材料的界面(mian)相互作用(yong).對納米(mi)二氧化硅(nano-silica)進行接(jie)枝改(gai)性,制備了(le)納米(mi)粒子(zi)/聚(ju)丙烯(PP)復合材料。

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