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電子封裝用AlN燒結工藝及機理-《南昌大學》2011年碩士論文

氮化(hua)鋁陶瓷常壓燒結致密化(hua)抗水性自擴散系(xi)數小,通常需要熱壓燒結才能(neng)制備出高(gao)致密的氮化(hua)鋁陶瓷2.2實驗儀器設備和原(yuan)料31-322.3實驗方法32-332.3。

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氮化(hua)鋁陶(tao)瓷(ci)導熱性能良好,是集(ji)成電路基板(ban)和電子封裝的理想材料。但氮化(hua)鋁為強共價鍵結合物,熔點(dian)高,自擴散系(xi)數小,通常(chang)需(xu)要(yao)熱壓燒結才能制備出高致密的氮化(hua)鋁陶(tao)瓷(ci)。并且。

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氮(dan)(dan)化鋁(lv)(lv)(AlN)燒結爐溫度均勻性批(pi)量生產《電子工業專用設備》2010年06期加入(ru)收藏投稿氮(dan)(dan)化鋁(lv)(lv)尤(you)其是(shi)在氮(dan)(dan)化鋁(lv)(lv)陶(tao)瓷批(pi)量生產過程中(zhong),陶(tao)瓷燒結爐的溫度不(bu)均勻。

電子封裝用AlN燒結工藝及機理

但近幾年國(guo)際(ji)上很多國(guo)家(jia)在(zai)重(zhong)視AlN基片材料(liao)研發工作的(de)同時(shi),對氮化(hua)(hua)鋁陶瓷燒結爐的(de)制備也越來越重(zhong)視,由此孕育出一些專(zhuan)業的(de)氮化(hua)(hua)鋁陶瓷燒結設備制造商,尤其是(shi)美國(guo)和(he)日本。

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本文通過使用(yong)Y2O3、Li2CO3、Dy2O3、CaF2、CaO作為添加劑(ji),研究不同添加劑(ji)對注(zhu)射成型(xing)低溫(wen)燒結(jie)AlN提(ti)高致密度和熱導率的(de)作用(yong)。實(shi)驗結(jie)果(guo)表(biao)明,使用(yong)Li2CO3,CaF2和Y2O3。

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采用(yong)微(wei)波(bo)高溫燒結(jie)工(gong)藝,制備(bei)了(le)致密的AlN陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci),并初步探討了(le)微(wei)波(bo)燒成(cheng)環境對燒結(jie)體燒結(jie)陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)加(jia)工(gong)陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)相陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)量(liang)塊陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)英語(yu)陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)機(ji)械陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)件陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)帽(mao)陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)設(she)備(bei)。

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氮化(hua)鋁脫膠(jiao)(jiao)燒(shao)結爐供(gong)應(ying)分(fen)類導航行業設(she)(she)(she)備(bei)相關類別塑料機(ji)(ji)(ji)械塑機(ji)(ji)(ji)輔機(ji)(ji)(ji)橡膠(jiao)(jiao)機(ji)(ji)(ji)械包裝設(she)(she)(she)備(bei)印刷設(she)(she)(she)備(bei)混凝土機(ji)(ji)(ji)械挖掘(jue)機(ji)(ji)(ji)械園林、市政工..選(xuan)礦(kuang)設(she)(she)(she)備(bei)。

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微(wei)(wei)波(bo)燒(shao)結設備主(zhu)要應(ying)用于燒(shao)結各(ge)種高品(pin)質的陶(tao)瓷、氮(dan)(dan)化(hua)硅、碳化(hua)硅、氧(yang)化(hua)鋁(lv)、氮(dan)(dan)化(hua)鋁(lv)、氧(yang)化(hua)鋯等;燒(shao)結電(dian)子陶(tao)瓷器件:PZT壓電(dian)陶(tao)瓷、壓敏電(dian)阻等。所謂微(wei)(wei)波(bo)燒(shao)結或微(wei)(wei)波(bo)燃燒(shao)合成。

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供應:燒(shao)結(jie)氮化(hua)鋁(工藝技術(shu)資料配方(fang)圖(tu)紙參數)光盤當前價(jia)格:200.00元1-BG52096含碳的氮化(hua)鋁燒(shao)結(jie)體以及(ji)用于半導體制造檢測設備的陶瓷基(ji)材2-BG。

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一種(zhong)氮化鋁陶瓷的低溫燒結(jie),包括氮化鋁起(qi)始(shi)粉(fen)(fen)料選(xuan)(xuan)擇(ze),添加物的選(xuan)(xuan)擇(ze)以(yi)及燒結(jie)工藝參數(shu)的選(xuan)(xuan)擇(ze)。其特(te)征在于:(1)以(yi)碳(tan)熱(re)還(huan)原法及高溫自蔓延合成法制備的AlN粉(fen)(fen)體為起(qi)始(shi)。

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微波燒結(jie)設備紙箱刀(dao)具(ju)綠(lv)碳(tan)化(hua)硅(gui)砂(sha)倒角刀(dao)具(ju)優(you)質刀(dao)具(ju)泰珂洛刀(dao)具(ju)導熱/導熱粉/氮化(hua)鋁(lv)/氮化(hua)鋁(lv)粉導熱/導熱粉/氮化(hua)鋁(lv)/氮化(hua)鋁(lv)粉填充(chong)/填充(chong)劑/。

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本發(fa)明(ming)目的(de)(de)是提供一種能保持10#+〔8〕Ω.cm或更大的(de)(de)體(ti)積電阻率的(de)(de)氮(dan)化鋁燒結體(ti),能保證覆蓋能力(li),大的(de)(de)輻射(she)熱量(liang)和用溫度顯示器測定時的(de)(de)準確度。本發(fa)明(ming)的(de)(de)含碳氮(dan)化。

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一(yi)種氮化鋁燒結(jie)體,其特征在于(yu)包含1-10%(重量)從周期表Ⅲa族元素、Ca、Sr、Ba中選擇的少。

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華順系列陶(tao)瓷(ci)覆銅板(氮(dan)化鋁(lv)、氧(yang)化鋁(lv)、氮(dan)化硅)燒結爐廣(guang)泛應用(yong)於陶(tao)瓷(ci)覆銅板(DBC0在保護氣氛中的(de)鍵合(he)、熱(re)處(chu)理等工(gong)序。設備針(zhen)對(dui)陶(tao)瓷(ci)復合(he)的(de)特殊工(gong)藝特點設計了專有的(de)。

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[圖文]3.2.5高(gao)(gao)(gao)壓(ya)設備(bei)(bei)的高(gao)(gao)(gao)精度控(kong)制(zhi)(zhi)系(xi)統3.2.6腔(qiang)體(ti)介質材(cai)料的選(xuan)擇(ze)3.2.7加熱源石墨3.3高(gao)(gao)(gao)壓(ya)燒(shao)(shao)結(jie)(jie)腔(qiang)體(ti)設計3.4高(gao)(gao)(gao)壓(ya)燒(shao)(shao)結(jie)(jie)AlN陶瓷(ci)制(zhi)(zhi)備(bei)(bei)工藝流程3.4.1高(gao)(gao)(gao)壓(ya)燒(shao)(shao)結(jie)(jie)AlN。

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論(lun)文天下提供的(de)<AlN粉末的(de)制備、低(di)溫(wen)燒(shao)結及其注(zhu)射(she)成形技(ji)術的(de)研究;論(lun)文包(bao)括氮化鋁陶(tao)(tao)瓷材料注(zhu)射(she)成形低(di)溫(wen)燒(shao)結復(fu)合陶(tao)(tao)瓷制備低(di)溫(wen)燒(shao)結注(zhu)射(she)等其他相關內容論(lun)文。

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本發(fa)明提供(gong)一種高(gao)純度氮(dan)化(hua)鋁(lv)燒結(jie)體,其在氮(dan)化(hua)鋁(lv)燒結(jie)體制造時,有效地(di)除去原(yuan)料(liao)粉(fen)末中所(suo)含的氧化(hua)物(wu),且通過原(yuan)料(liao)粉(fen)末中所(suo)含的氧化(hua)物(wu)與燒結(jie)助(zhu)劑反應來防止生成的復合氧化(hua)。

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3.2.5高壓設備的高精(jing)度控制(zhi)(zhi)系(xi)統3.2.6腔體介質材料的選(xuan)擇(ze)3.2.7加(jia)熱源(yuan)石墨3.3高壓燒結腔體設計3.4高壓燒結AlN陶瓷制(zhi)(zhi)備工(gong)藝流程(cheng)3.4.1高壓燒結AlN。

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熱壓燒(shao)結AlN陶瓷,以自蔓延(yan)高溫(wen)合(he)成(SHS)的AlN粉體為原(yuan)料,以Y2O3-B2O3-CaF2和YF3-B-CaF2系為燒(shao)結助(zhu)(zhu)劑(ji),采(cai)用(yong)熱壓燒(shao)結工藝(yi)制備AlN陶瓷。結果表明,采(cai)用(yong)燒(shao)結助(zhu)(zhu)劑(ji),在。

AlN粉末的制備低溫燒結及其注射成形技術的研究-收費碩士博士

本論文探索(suo)了(le)AlN陶瓷的(de)燒結技術,利用本實驗室原位合成技術合成的(de)AlN粉末制備出了(le)高致密,高導熱的(de)AlN陶瓷。研(yan)究了(le)AlN陶瓷的(de)常壓燒結技術。通過(guo)熱力學條件和相(xiang)圖的(de)。

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41、含碳的氮化(hua)鋁燒(shao)結體以及用于半導體制造檢(jian)測設備的陶(tao)瓷基材收錄氮化(hua)鋁陶(tao)瓷相(xiang)關期刊文獻151項1、海門(men)建成氮化(hua)硅陶(tao)瓷基地2、高壓氮氣(qi)中(zhong)自蔓延(yan)燃燒(shao)合成氮化(hua)鋁。

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抗折強度高,可(ke)以常壓在1600°C燒結,是(shi)一(yi)種(zhong)高功率集成(cheng)電(dian)路基(ji)片的未來使(shi)用(yong)材料晉(jin)盈科(ke)技發(fa)展有(you)限(xian)公司(si)樂意(yi)提供氮化鋁AlN整線設(she)備,研發(fa)生產(chan)光(guang)傳輸(shu)特性優良的基(ji)片。

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32CN00809591.4半(ban)導(dao)(dao)體加工設備的(de)防(fang)腐組件及其制(zhi)(zhi)造方法33CN02106821.6用于半(ban)導(dao)(dao)體和(he)功率模(mo)件的(de)絕緣(yuan)襯(chen)底板34CN02115663.8放電等(deng)離子燒結法制(zhi)(zhi)備氮化鋁透明(ming)陶瓷35。

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