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電子封裝用AlN燒結工藝及機理-《南昌大學》2011年碩士論文

氮化(hua)鋁(lv)陶(tao)瓷常壓燒(shao)(shao)結(jie)致(zhi)(zhi)密化(hua)抗水性自擴散系(xi)數小,通常需要熱壓燒(shao)(shao)結(jie)才能制(zhi)備出高致(zhi)(zhi)密的氮化(hua)鋁(lv)陶(tao)瓷2.2實(shi)驗(yan)儀器設備和(he)原料31-322.3實(shi)驗(yan)方(fang)法32-332.3。

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氮化(hua)鋁(lv)(lv)(AlN)燒(shao)(shao)結(jie)爐溫(wen)度均(jun)(jun)勻性(xing)批量生產(chan)《電子工業專用設(she)備(bei)》2010年06期加入收藏投稿氮化(hua)鋁(lv)(lv)尤(you)其(qi)是在氮化(hua)鋁(lv)(lv)陶(tao)瓷批量生產(chan)過程中,陶(tao)瓷燒(shao)(shao)結(jie)爐的溫(wen)度不均(jun)(jun)勻。

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但近(jin)幾年國際(ji)上很多國家在重視AlN基片材料(liao)研發工作(zuo)的(de)同時,對氮化鋁陶(tao)(tao)瓷燒結(jie)爐(lu)的(de)制備也越來越重視,由此孕育(yu)出一些專業的(de)氮化鋁陶(tao)(tao)瓷燒結(jie)設備制造商(shang),尤其是美國和日本。

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本文通過使用(yong)Y2O3、Li2CO3、Dy2O3、CaF2、CaO作為(wei)添加(jia)劑(ji),研究不同添加(jia)劑(ji)對注射成型低(di)溫燒結AlN提(ti)高(gao)致密度和熱(re)導率(lv)的作用(yong)。實驗結果表明,使用(yong)Li2CO3,CaF2和Y2O3。

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采用微(wei)波(bo)高溫燒結工藝,制備了(le)(le)致密(mi)的AlN陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)(ci),并初(chu)步探討了(le)(le)微(wei)波(bo)燒成環境(jing)對燒結體(ti)燒結陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)(ci)加工陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)(ci)相陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)(ci)量塊(kuai)陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)(ci)英語陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)(ci)機械陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)(ci)件陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)(ci)帽陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)(ci)設備。

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氮化鋁脫膠燒結爐供應分(fen)類導航行業設(she)備相關類別塑料機(ji)械(xie)塑機(ji)輔機(ji)橡膠機(ji)械(xie)包裝設(she)備印刷設(she)備混凝土(tu)機(ji)械(xie)挖掘機(ji)械(xie)園林(lin)、市(shi)政(zheng)工(gong)..選礦設(she)備。

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微(wei)波(bo)燒(shao)(shao)結(jie)設備主要(yao)應用于(yu)燒(shao)(shao)結(jie)各種(zhong)高品質的陶瓷(ci)、氮化硅、碳化硅、氧(yang)化鋁、氮化鋁、氧(yang)化鋯等(deng);燒(shao)(shao)結(jie)電(dian)子陶瓷(ci)器件:PZT壓電(dian)陶瓷(ci)、壓敏(min)電(dian)阻等(deng)。所謂微(wei)波(bo)燒(shao)(shao)結(jie)或微(wei)波(bo)燃燒(shao)(shao)合成(cheng)。

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供應:燒(shao)(shao)結氮化鋁(工藝技(ji)術資料配方(fang)圖紙參數)光(guang)盤(pan)當(dang)前價格:200.00元1-BG52096含碳的(de)氮化鋁燒(shao)(shao)結體(ti)以(yi)及用于半導體(ti)制造(zao)檢測設備的(de)陶瓷基材2-BG。

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一(yi)種氮化鋁(lv)陶(tao)瓷(ci)的(de)低(di)溫(wen)燒結(jie),包括氮化鋁(lv)起始(shi)粉(fen)料選(xuan)擇,添加物(wu)的(de)選(xuan)擇以及燒結(jie)工(gong)藝參數的(de)選(xuan)擇。其特(te)征在(zai)于:(1)以碳熱(re)還(huan)原法(fa)及高溫(wen)自蔓(man)延合成(cheng)法(fa)制(zhi)備的(de)AlN粉(fen)體為起始(shi)。

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微波燒結(jie)設備紙箱刀(dao)(dao)具(ju)綠碳化(hua)(hua)硅砂倒角刀(dao)(dao)具(ju)優質刀(dao)(dao)具(ju)泰珂洛(luo)刀(dao)(dao)具(ju)導(dao)(dao)熱(re)/導(dao)(dao)熱(re)粉/氮化(hua)(hua)鋁/氮化(hua)(hua)鋁粉導(dao)(dao)熱(re)/導(dao)(dao)熱(re)粉/氮化(hua)(hua)鋁/氮化(hua)(hua)鋁粉填充/填充劑/。

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本(ben)發(fa)明(ming)目的(de)(de)(de)是提供一(yi)種能(neng)保持10#+〔8〕Ω.cm或更大的(de)(de)(de)體積電阻率的(de)(de)(de)氮化鋁燒(shao)結體,能(neng)保證覆蓋(gai)能(neng)力,大的(de)(de)(de)輻射(she)熱(re)量(liang)和用溫度(du)顯示器測(ce)定(ding)時的(de)(de)(de)準(zhun)確度(du)。本(ben)發(fa)明(ming)的(de)(de)(de)含碳(tan)氮化。

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一種氮化鋁(lv)燒結(jie)體,其特征在于包含1-10%(重量)從周期表Ⅲa族(zu)元(yuan)素、Ca、Sr、Ba中選擇的少。

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華順系(xi)列陶瓷(ci)覆(fu)銅(tong)板(氮化鋁、氧化鋁、氮化硅)燒結爐廣泛(fan)應用於(wu)陶瓷(ci)覆(fu)銅(tong)板(DBC0在保護(hu)氣氛中的(de)鍵合、熱(re)處理等工序。設備(bei)針對(dui)陶瓷(ci)復合的(de)特殊工藝特點設計了專有的(de)。

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[圖文]3.2.5高(gao)(gao)壓設(she)備的高(gao)(gao)精度控制系統(tong)3.2.6腔體介質材料的選擇3.2.7加熱(re)源石墨3.3高(gao)(gao)壓燒結(jie)腔體設(she)計3.4高(gao)(gao)壓燒結(jie)AlN陶瓷制備工藝流(liu)程3.4.1高(gao)(gao)壓燒結(jie)AlN。

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論文天下提供的(de)<AlN粉(fen)末的(de)制備(bei)、低(di)溫燒(shao)結(jie)(jie)及其注(zhu)(zhu)射(she)(she)成(cheng)形技術的(de)研究;論文包括氮化鋁陶瓷(ci)(ci)材料(liao)注(zhu)(zhu)射(she)(she)成(cheng)形低(di)溫燒(shao)結(jie)(jie)復合陶瓷(ci)(ci)制備(bei)低(di)溫燒(shao)結(jie)(jie)注(zhu)(zhu)射(she)(she)等(deng)其他相關內(nei)容(rong)論文。

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本發明提(ti)供一種高純度(du)氮化(hua)(hua)鋁(lv)燒結體,其在氮化(hua)(hua)鋁(lv)燒結體制造(zao)時,有效地除去原(yuan)料粉(fen)末中(zhong)所含的氧(yang)化(hua)(hua)物(wu),且(qie)通過原(yuan)料粉(fen)末中(zhong)所含的氧(yang)化(hua)(hua)物(wu)與燒結助劑(ji)反(fan)應(ying)來防止生(sheng)成的復合氧(yang)化(hua)(hua)。

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熱(re)壓(ya)燒(shao)結AlN陶(tao)瓷,以(yi)自蔓延高溫合成(cheng)(SHS)的(de)AlN粉體為(wei)原料,以(yi)Y2O3-B2O3-CaF2和YF3-B-CaF2系為(wei)燒(shao)結助(zhu)劑,采用(yong)熱(re)壓(ya)燒(shao)結工藝制備AlN陶(tao)瓷。結果表明,采用(yong)燒(shao)結助(zhu)劑,在(zai)。

AlN粉末的制備低溫燒結及其注射成形技術的研究-收費碩士博士

本論文(wen)探索了(le)AlN陶瓷(ci)(ci)的燒(shao)結技(ji)(ji)術,利(li)用本實驗室原位合(he)成(cheng)技(ji)(ji)術合(he)成(cheng)的AlN粉末制備(bei)出了(le)高(gao)致密,高(gao)導熱(re)的AlN陶瓷(ci)(ci)。研(yan)究了(le)AlN陶瓷(ci)(ci)的常壓燒(shao)結技(ji)(ji)術。通(tong)過熱(re)力(li)學(xue)條件(jian)和相圖的。

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