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高頻感應熱等離子體在微細球形粉體材料制備中的應用-《高電壓

高頻感應熱等離子體微細粉(fen)體球(qiu)化材料(liao)粒徑(jing)摘要:高頻感應熱等離子體在粉(fen)體球(qiu)化領域中具有獨特展示了(le)部分(fen)自制的關鍵設備,其中送粉(fen)器可以(yi)實現原料(liao)粒。

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30KW高頻等離子體感應加熱設備及等離子體發生器--中國科學院

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用于高頻等離子體發生器的高頻電源-《微細加工技術》1985年01期

高(gao)頻(pin)電源高(gao)頻(pin)等(deng)離子體匹(pi)配(pei)網(wang)絡等(deng)離子體發生器(qi)負(fu)偏壓諧(xie)振阻抗(kang)(kang)輸出功率板極阻抗(kang)(kang)匹(pi)配(pei)駐波比。

高頻感應耦合熱等離子體發生器的完整的二維數值模擬-《中國科學(

摘要:迄今(jin)為止,所有(you)有(you)關高(gao)頻感應耦合熱等離子體發生器的數值(zhi)模擬(ni)均以一維電磁場(chang)(chang)為基礎(chu)。本(ben)文提出(chu)了包括二維電磁場(chang)(chang)的完整而又自洽的二維數值(zhi)模擬(ni)方法。典(dian)型的數值(zhi)。

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高頻感應加熱設備及高頻等離子體設備高頻預熱設備行業市場調查

超高(gao)頻電磁波束發生器(qi)-等(deng)離(li)子(zi)體火箭。據國(guo)外(wai)媒體代(dai)等(deng)離(li)子(zi)體發生器(qi),該研究(jiu)所在地面(mian)模擬設備和足以(yi)將其撕成碎片(pian),只要l00毫秒(miao)可以(yi)使它(ta)“粉身(shen)碎。

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高頻等離子(zi)(zi)體(ti)發(fa)生(sheng)器radio-frequencyplasmatorch等離子(zi)(zi)體(ti)是電離的氣(qi)態物質,是離子(zi)(zi)體(ti)。例如不是H2而(er)是H++e。分(fen)(fen)類通(tong)常等離子(zi)(zi)體(ti)發(fa)生(sheng)器可分(fen)(fen)為(wei)兩類:(1)高頻。

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[圖文(wen)]電(dian)感耦合高(gao)頻(pin)等(deng)離(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)(ICP)是(shi)二(er)十世紀60年(nian)代提出(chu),70年(nian)代獲得迅(xun)速發(fa)展的一種(zhong)新型但它的霧化效率較低,設備貴。等(deng)離(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)光源除電(dian)感耦合高(gao)頻(pin)等(deng)離(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)外,還有(you)直流。

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年報道高頻(pin)U感應耦合熱等(deng)(deng)離子(zi)體發生器在大氣壓流(liu)動氣體條件(jian)下成(cheng)功(gong)運行子(zi)體炬(ju)射頻(pin)等(deng)(deng)離子(zi)體粉體處理(li)系統原(yuan)理(li)示(shi)意(yi)圖及設備照片如圖amp和圖所示(shi)。

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高頻(pin)熱等(deng)離(li)子發(fa)(fa)生(sheng)器所產(chan)生(sheng)的溫度(du)約1000K的熱等(deng)離(li)子體,已(yi)廣泛用于高技(ji)術陶瓷、超(chao)導體與金剛石粉或膜的制備等(deng)許多方面,高頻(pin)等(deng)離(li)子體發(fa)(fa)生(sheng)器中電(dian)離(li)氣體的流動與傳熱和。

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等離子合成與霧化制粉技術及其應用-其它資料-道客巴巴

電感耦合高頻放電等(deng)離子(zi)體(ti)(ti)特(te)性測(ce)試,楊(yang)孝龍黃(huang)運添(tian);-西北大學(xue)學(xue)報(bao)(自然科學(xue)版)1998年第04期在線閱(yue)讀、文章下載。<正;Langmuir探(tan)針是等(deng)離子(zi)體(ti)(ti)診斷中常用的工具之。

高頻熱等離子體發生器的自洽模擬

本發(fa)明涉及一(yi)種采用高(gao)頻(pin)等離子體(ti)制(zhi)備(bei)高(gao)純超細硼化鋯粉體(ti)的方法(fa)。高(gao)頻(pin)等離子體(ti)弧提供的超高(gao)溫熱源為合成反應提供了足夠高(gao)的溫度和能量(liang),高(gao)頻(pin)等離子體(ti)無電極(ji)加熱特性保證。

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高頻感應加熱設備及高頻等離子體設備高頻預熱設備調研報告_2013-

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2011年(nian)12月(yue)20日(ri)-電(dian)感耦合高頻等離子體原(yuan)子發射光譜(pu)法(ICP-AES)特點發稿(gao)時(shi)間:2012-12-2019:04:12作者:主(zhu)題詞:。

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2006年3月17日-項(xiang)目(mu)名稱(cheng):高(gao)頻等離子體放電(dian)無(wu)極燈生產(chan)項(xiang)目(mu)項(xiang)目(mu)背景(jing):高(gao)頻等離子體放電(dian)無(wu)極燈,簡(jian)稱(cheng)高(gao)頻無(wu)極燈。是由中國科學院光學和精密儀器研究所綜合應用功率。

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電感耦合高頻等離子體-《蘇州大學》2008年碩士論文

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